講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-08-09 09:30
[招待講演]極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討 ○小林正治・莫 非・多川友作・金 成吉・安 珉柱・更屋拓哉・平本俊郎(東大) SDM2019-45 ICD2019-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-45 ICD2019-10 |
抄録 |
(和) |
強誘電体HfO2の発見によりCMOSプロセスとの整合性の高さが注目され強誘電体メモリが低消費電力メモリとして再び注目を集めている.その中でも高速性・低消費電力・高密度性から強誘電体トランジスタ型メモリ(FeFET)への関心が高い.特に最近NANDフラッシュメモリのような3次元積層構造のFeFETが提案されている.しかしNANDフラッシュと同様にチャネルとして薄膜ポリシリコンを用いると性能と信頼性の点で大きな課題を抱えることになる.本研究ではチャネル材料として高移動度金属酸化膜であるIGZOを用いることを提案し,高性能かつ高信頼な3次元積層型FeFETメモリの実現可能性について議論する |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
強誘電体 / HfO2 / トランジスタ / メモリ / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 161, SDM2019-45, pp. 59-62, 2019年8月. |
資料番号 |
SDM2019-45 |
発行日 |
2019-07-31 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2019-45 ICD2019-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-45 ICD2019-10 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM ICD ITE-IST |
開催期間 |
2019-08-07 - 2019-08-09 |
開催地(和) |
北海道大学 情報科学院 3F A31 |
開催地(英) |
Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and |
テーマ(和) |
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
テーマ(英) |
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2019-08-SDM-ICD-IST |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
A study on a ferroelectric transistor memory with ultrathin IGZO channel |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
強誘電体 / |
キーワード(2)(和/英) |
HfO2 / |
キーワード(3)(和/英) |
トランジスタ / |
キーワード(4)(和/英) |
メモリ / |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル |
第1著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
莫 非 / Fei Mo / バク ヒ |
第2著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
多川 友作 / Yusaku Tagawa / タガワ ユウサク |
第3著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
金 成吉 / Chengji Jin / ジン チェンジ― |
第4著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
安 珉柱 / MinJu Ahn / アン ミンジュ |
第5著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ |
第6著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
第7著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 所属(和/英) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2019-08-09 09:30:00 |
発表時間 |
45分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2019-45, ICD2019-10 |
巻番号(vol) |
vol.119 |
号番号(no) |
no.161(SDM), no.162(ICD) |
ページ範囲 |
pp.59-62 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2019-07-31 (SDM, ICD) |