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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-08-09 11:40 Spiral-MKIDsにおける雑音等価電力のNbN膜厚依存性 ○齊藤 敦・岡 大輝・加藤圭起・倉科大輔・鈴木快飛・仲田優介・中島健介（山形大）  SCE2019-12 |
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| 抄録 | （和） | THz 波リアルタイムイメージングを目的としたspiral 型MKIDs の設計とNbN薄膜を用いた4K 動作デバイスの作製・評価について報告する。m面sapphire 基板上でNbN 薄膜がエピタキシャル成長する条件を用いて，膜厚の異なるspiral-MKIDs を作製し，NbN膜厚に対して電磁波応答特性とデバイスの無負荷Q値がトレードオフの関係にあることを実験的に明らかにした。また，雑音等価電力（NEP）の膜厚依存性から最適な膜厚が3~4 nmであることと，NEP ~ 1.0×10-13 W/Hz1/2 @ 3.7 K を得た。 |
| （英） | We report on the design of spiral-MKIDs for THz wave real-time imaging and the fabrication and evaluation of 4K operation devices using NbN thin films. We fabricated spiral-MKIDs with different film thicknesses using deposition conditions for epitaxially grown NbN films on m-plane sapphire substrates, and experimentally clarified that the response characteristics of the electromagnetic wave and the unloaded Q values of the devices have a trade-off relationship with the NbN film thickness. In addition, the film thickness dependence of noise equivalent power (NEP) gave an optimum film thickness of 3 to 4 nm and NEP ~ 1.0×10-13 W/Hz1/2 @ 3.7 K. | |
| キーワード | （和） | NbN / spiral-MKIDs / 雑音等価電力 / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 164, SCE2019-12, pp. 21-26, 2019年8月. | |
| 資料番号 | SCE2019-12 | |
| 発行日 | 2019-08-02 (SCE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SCE2019-12 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2019-08-09 - 2019-08-09 |
| 開催地（和） | 産業技術総合研究所 |
| 開催地（英） | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| テーマ（和） | デバイス関係、薄膜、一般 |
| テーマ（英） | Device, think film, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2019-08-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Spiral-MKIDsにおける雑音等価電力のNbN膜厚依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dependence of noise equivalent power on NbN film thickness of spiral-MKIDs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NbN / |
| キーワード(2)（和/英） | spiral-MKIDs / |
| キーワード(3)（和/英） | 雑音等価電力 / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齊藤 敦 / Atsushi Saito / サイトウ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡 大輝 / Daiki Oka / オカ ダイキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 圭起 / Yoshiki Kato / カトウ ヨシキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉科 大輔 / Daisuke Kurashina / クラシナ ダイスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 快飛 / Kaito Suzuki / スズキ カイト |
| 第5著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 仲田 優介 / Yusuke Nakada / ナカダ ユウスケ |
| 第6著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 健介 / Kensuke Nakajima / ナカジマ ケンスケ |
| 第7著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-08-09 11:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2019-12 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.164 |
| ページ範囲 | pp.21-26 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-08-02 (SCE) |
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