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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-08-09 13:05 Nb3Ge超伝導薄膜の作製と評価 ○川上 彰・寺井弘高（NICT）・鵜澤佳徳（国立天文台）  SCE2019-13 |
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| 抄録 | （和） | A15型結晶構造を有するNb3Ge薄膜は，最高で23 Kの超伝導転移温度を示し，ギャップ周波数は2 THzに達すると考えられる．またTC付近での常伝導抵抗率が低く，明確な結晶異方性は無い，反応性エッチングも容易など，THz帯SISミキサ開発において多くのメリットを有している．今回，成膜方法として膜組成制御の自由度が高い多元同時スパッタリング法を用いてNb3Ge薄膜成膜を試みた．まずDCスパッタリング法によるNb，Ge各材料のモル成膜速度を導出し，Nb:Ge=3:1付近を実現する放電電力(Nb: 300 W, Ge: 32-48 W)を算出した．基板にはA面サファイア基板を用い，基板加熱ヒーター設定温度は920 ℃としている．得られたNb3Ge薄膜の格子定数は約0.513 nm，またNb3Geのピークと共にNb5Ge3のピークが観測された．膜厚180 nmにおいて超伝導転移温度Tczero=約21.0 K，25 Kにおける抵抗率は，従来からSISミキサに用いられているNbTiNより低い約45 μΩcmが得られた． |
| （英） | The Nb3Ge thin film with the A15 crystal structure exhibits a superconducting transition temperature of up to 23 K, and the gap frequency is considered to reach 2 THz. In addition, it has many merits in THz band SIS mixer development, such as low resistivity over transition temperature, no crystal anisotropy, and easy reactive etching. In this study, we tried to deposit Nb3Ge thin film using co-sputtering method with high degree of freedom of film composition control. First, the molar deposition rates of Nb and Ge materials by DC sputtering were derived, and the discharge power (Nb: 300 W, Ge: 32 to 48 W) to achieve Nb: Ge = 3: 1 was calculated. The A-plane sapphire substrate was used as the substrate, and the substrate heating temperature was set to 920 ℃. The lattice constant of the obtained Nb3Ge thin film was about 0.513 nm, and the peaks of Nb5Ge3 were observed together with the peaks of Nb3Ge. The film thickness was 180 nm and the superconducting transition temperatures was about 21.0 K. The film resistivity at 25 K was 45 $mu$$Omega$cm, which is lower than that of NbTiN used in conventional SIS mixers. | |
| キーワード | （和） | A15 / Nb3Ge / Nb5Ge3 / 多元同時スパッタリング / / / / |
| （英） | A15 / Nb3Ge / Nb5Ge3 / co-sputtering / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 164, SCE2019-13, pp. 27-30, 2019年8月. | |
| 資料番号 | SCE2019-13 | |
| 発行日 | 2019-08-02 (SCE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SCE2019-13 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2019-08-09 - 2019-08-09 |
| 開催地（和） | 産業技術総合研究所 |
| 開催地（英） | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| テーマ（和） | デバイス関係、薄膜、一般 |
| テーマ（英） | Device, think film, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2019-08-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Nb3Ge超伝導薄膜の作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation and evaluation of Nb3Ge superconducting thin films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | A15 / A15 |
| キーワード(2)（和/英） | Nb3Ge / Nb3Ge |
| キーワード(3)（和/英） | Nb5Ge3 / Nb5Ge3 |
| キーワード(4)（和/英） | 多元同時スパッタリング / co-sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川上 彰 / Akira Kawakami / カワカミ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺井 弘高 / Hirotaka Terai / テライ ヒロタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鵜澤 佳徳 / Yoshinori Uzawa / ウザワ ヨシノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 国立天文台 (略称： 国立天文台) National Astronomical Observatory of Japan (略称： NAOJ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-08-09 13:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2019-13 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.164 |
| ページ範囲 | pp.27-30 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-08-02 (SCE) |
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