講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-10-18 14:15
単結晶ダイヤモンドへのスピン注入に向けた電極形成に関する研究 ○アブバクル エスラム・坂井拓也・ゼクリア アブデルラーマン(九大)・片宗優貴(九工大)・大曲新矢(産総研)・妹川 要・池上 浩(九大)・堺 研一郎(久留米高専)・吉武 剛(九大) MRIS2019-37 エレソ技報アーカイブへのリンク:MRIS2019-37 |
抄録 |
(和) |
単結晶ダイヤモンドは長いスピン輸送長を可能とする材料として極めて有望である. ダイヤモンドは5.47 eVの大きなバンドギャップを有するために強磁性金属からのキャリアの注入は容易ではない.単結晶ダイヤモンド上に高導電層を形成するために,レーザー誘起表面ドーピング技術を適用した. ダイヤモンド板をホウ酸水溶液に浸した状態で193 nmのパルスレーザービームを照射した.照射領域の表面の電気伝導度は、レーザーフルエンスとレーザーショット数の増加とともに増加した. 温度上昇とともに導電率は増加することから照射後に形成された表面層は半導体である.二次イオン質量スペクトルにおけるホウ素の深さプロファイルから,表面下40nmの深さまでホウ素原子が侵入していることがわかった. |
(英) |
Singlecrystalline diamond is a candidate as long-distance spin transport materials. Since diamond possesses a wide bandgap of 5.47 eV, the injection of carriers from ferromagnetic metals is not easy. To form highly conductive layers on singlecrystalline diamond, a laser-induced surface doping technique was employed. 193-nm pulsed laser beams were irradiated onto a diamond plate immersed in boric acid which acts as a dopant source. The surface electrical conductivity increases with increasing laser fluence and number of laser shots. Furthermore, the conductivity increases with increasing temperature, which implies that the surface layer is semiconducting. The depth profile of boron in secondary ion mass spectra showed the incorporation of boron atoms into depths of 40 nm below the surface. |
キーワード |
(和) |
単結晶ダイヤモンド / レーザー誘起ドープ / ボロン / ダイヤモンド / ドーピング / レーザー応用 / p型 / 電極 |
(英) |
singlecrystalline diamond / laser-induced doping / boron / diamond / doping / laser application / p-type / electrodes |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 232, MRIS2019-37, pp. 119-122, 2019年10月. |
資料番号 |
MRIS2019-37 |
発行日 |
2019-10-10 (MRIS) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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