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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-10-23 15:40 Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application ○Min Gee Kim・Masakazu Kataoka・Masaki Hayashi・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.）  SDM2019-56 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | In this study, post metallization annealing (PMA) for the ferroelectric undoped HfO2 deposited on Si(100) was investigated. Ferroelectric characteristics of 10 nm thick HfO2 were realized with PMA process at 500 oC with Pt top electrodes. The remanent polarization (2Pr) of 2.3 C/cm2 by P-V measurement and clockwise hysteresis were confirmed for Pt/HfO2/Si(100) diodes. FeFETs shows the ferroelectric hysteresis with memory window of 0.9 V by sweep range from -3 to 3 V. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | ferroelectric / undoped HfO2 / post metallization annealing / FeFETs / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 239, SDM2019-56, pp. 17-20, 2019年10月. | |
| 資料番号 | SDM2019-56 | |
| 発行日 | 2019-10-16 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-56 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2019-10-23 - 2019-10-24 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-10-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / ferroelectric |
| キーワード(2)（和/英） | / undoped HfO2 |
| キーワード(3)（和/英） | / post metallization annealing |
| キーワード(4)（和/英） | / FeFETs |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Min Gee Kim / Min Gee Kim / キム ミンギ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片岡 正和 / Masakazu Kataoka / マサカズ カタオカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 将生 / Masaki Hayashi / ハヤシ マサキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Rengie Mark D. Mailig / Rengie Mark D. Mailig / レンジ マーク トミンセル マイリグ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-10-23 15:40:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-56 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.239 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-10-16 (SDM) |
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