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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-10-24 10:55 仮想ショートスタブを用いてバックオフ量を拡大した高効率GaNドハティ増幅器 ○本田 慧・坂田修一・小松崎優治・新庄真太郎（三菱電機）  EMCJ2019-40 MW2019-69 EST2019-48 |
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| 抄録 | （和） | 仮想ショートスタブを用いてバックオフ量を拡大したドハティ増幅器について報告する。本技術では低出力時において、ピーク増幅器側の線路を出力電力合成点に装荷される仮想的な誘導性のショートスタブとして利用している。本技術を用いることで従来のドハティ増幅器と比較して、低出力時のキャリア増幅器から見た負荷インピーダンスをより高いインピーダンスに変成することが出来る。これにより従来のドハティ増幅器と比べ、回路設計によって効率ピークが得られるバックオフ量を6dB以上に拡大することが可能になった。本稿では、バックオフの拡大量と仮想ショートスタブを用いたドハティ増幅器の回路トポロジーとの関係を解析的に導出する。さらに、本提案技術をGaN HEMTを用いた3.5GHz、40Watt出力ドハティ増幅器により実験的に検証した。検証の結果、ピーク対平均電力比8.5dBの10MHz帯域LTE信号を用いた評価において、隣接チャネル漏洩電力比が-50dBc以下となる領域で平均ドレイン効率51%を達成した。 |
| （英） | We propose a new efficiency enhancement technique of Doherty power amplifiers (DPAs) using virtual short stub. In this technique, the peaking amplifier branch is utilized as an inductive short stub at output power combing point at low power level. Using this technique, it is possible to transform the low-power load impedance seen from the carrier amplifier into higher impedance than that of classical DPAs. This leads to efficiency enhancement at larger power back-off than conventional DPAs (>6dB). The relation of efficiency enhanced level and the circuit topology for DPAs with the virtual short stub are analytically derived. The proposed technique was experimentally verified by fabricating a 3.5 GHz 40 Watt Doherty power amplifier using GaN HEMTs. An average drain efficiency of 51% and adjacent power leakage ratio of -50 dBc was obtained using 10MHz LTE test signals with 8.5dB peak-to-average power ratio. | |
| キーワード | （和） | ドハティ増幅器 / 効率 / バックオフ量 / 負荷変調 / 仮想ショートスタブ / 窒化ガリウム / / |
| （英） | Doherty power amplifiers / efficiency / power back-off / load modulation / virtual short stub / GaN / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 242, MW2019-69, pp. 21-25, 2019年10月. | |
| 資料番号 | MW2019-69 | |
| 発行日 | 2019-10-17 (EMCJ, MW, EST) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMCJ2019-40 MW2019-69 EST2019-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMCJ MW EST IEE-EMC |
| 開催期間 | 2019-10-24 - 2019-10-25 |
| 開催地（和） | 東北学院大学(工学部1号館3階第2会議室) |
| 開催地（英） | Tohoku Gakuin University(Conf. Room 2, Eng. Bldg. 1) |
| テーマ（和） | EMC一般、マイクロ波、電磁界シミュレーション |
| テーマ（英） | EMC, Microwave, Electromagnetic field simulation. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2019-10-EMCJ-MW-EST-EMC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 仮想ショートスタブを用いてバックオフ量を拡大した高効率GaNドハティ増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Efficiency Enhancement of GaN Doherty Power Amplifier at Large Power Back-Off with Virtual Short Stub Technique |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ドハティ増幅器 / Doherty power amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | 効率 / efficiency |
| キーワード(3)（和/英） | バックオフ量 / power back-off |
| キーワード(4)（和/英） | 負荷変調 / load modulation |
| キーワード(5)（和/英） | 仮想ショートスタブ / virtual short stub |
| キーワード(6)（和/英） | 窒化ガリウム / GaN |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 慧 / Satoru Honda / ホンダ サトル |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂田 修一 / Shuichi Sakata / サカタ シュウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小松崎 優治 / Yuji Komatsuzaki / コマツザキ ユウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo / シンジョウ シンタロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-10-24 10:55:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | EMCJ2019-40, MW2019-69, EST2019-48 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.241(EMCJ), no.242(MW), no.243(EST) |
| ページ範囲 | pp.21-25 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2019-10-17 (EMCJ, MW, EST) |
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