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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-14 09:40 FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ実現に向けた素子特性測定 ○田中一平・宮川尚之・木村知也・今川隆司・越智裕之（立命館大）  VLD2019-36 DC2019-60 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では，低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき，かつ，書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と，その特性測定用回路を提案する． 近年，オンチップ太陽電池を用いたマイクロエナジーハーベスティングにより半永久的に電力を自給自足できるセンサチップの研究が行われているが，このようなセンサチップでは夜間にデータを保持する不揮発性メモリが不可欠である．本稿では，メタルフリンジキャパシタの一種である，Fishbone-in-Cage Capacitor (FiCC)とNMOSトランジスタを組み合わせ，フラッシュメモリ素子のダブルゲート構造をCMOSプロセス互換で実現したメモリ素子を提案する． また，書き込みも消去もFNトンネリングで行うことで消費電流を抑えることの実現可能性を明らかにするべく，リングオ シレータを用いて閾値電圧を測定する回路を考案し，これを用いた測定を行った．その結果，5Vの書き込み電圧を5秒間印加すれば閾値電圧が4V程度まで上昇することや，書き込み後は1日程度の保持が可能であること，並びに5000回程度の書き込み消去操作では特性がほとんど劣化しないことが示された． |
| （英） | This report proposes a new non-volatile memory element that can be fabricated with a standard CMOS process, and that can be programmed and erased without large supply current, as well as a characteristics measurement circuit for it. In recent years, self-powered sensor chips using micro energy harvesting based on on-chip solar cells have been studied. For such sensor chips, however, non-volatile memory is indispensable to retain the data during night time. We propose a new memory element that consists of Fishbone-in-Cage Capacitor (FiCC) and an NMOS to realize the double-gate structure of flash memory without using dedicated fabrication processes. We also developed a circuit for measuring the threshold voltage of the memory element to clarify the feasibility of using FN tunneling for programming and erasing operations to reduce the supply current. We observed that threshold voltage shifts to 4V by applying 5V programming voltage for 5 sec, and it remains for a day. We also noted that only a little degradation appears after 5000 program-erase cycles. |
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| キーワード | （和） | フラッシュメモリ / メタルフリンジキャパシタ / マイクロエナジーハーベスティング / 閾値電圧測定 / / / / |
| （英） | flash memory / metal-fringe capacitor / micro energy harvesting / threshold voltage measurement / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 282, VLD2019-36, pp. 63-68, 2019年11月. | |
| 資料番号 | VLD2019-36 | |
| 発行日 | 2019-11-06 (VLD, DC) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2019-36 DC2019-60 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC CPSY RECONF ICD IE IPSJ-SLDM IPSJ-EMB |
| 開催期間 | 2019-11-13 - 2019-11-15 |
| 開催地（和） | 愛媛県男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Ehime Prefecture Gender Equality Center |
| テーマ（和） | デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2019-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-ICD-IE-SLDM-EMB-ARC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ実現に向けた素子特性測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device characteristic measurement for realizing CMOS-compatible non-volatile memory using FiCC |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュメモリ / flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | メタルフリンジキャパシタ / metal-fringe capacitor |
| キーワード(3)（和/英） | マイクロエナジーハーベスティング / micro energy harvesting |
| キーワード(4)（和/英） | 閾値電圧測定 / threshold voltage measurement |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 一平 / Ippei Tanaka / タナカ イッペイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Ritsumeikan Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮川 尚之 / Naoyuki Miyagawa / ミヤガワ ナオユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Ritsumeikan Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 知也 / Tomoya Kimura / キムラ トモヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Ritsumeikan Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今川 隆司 / Takashi Imagawa / イマガワ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Ritsumeikan Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 越智 裕之 / Hiroyuki Ochi / オチ ヒロユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Ritsumeikan Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-14 09:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2019-36, DC2019-60 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.282(VLD), no.283(DC) |
| ページ範囲 | pp.63-68 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-11-06 (VLD, DC) |
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