講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-11-14 14:15
3次元NAND型フラッシュメモリにおけるニューラルネットワークを用いた寿命予測と高信頼化手法 ○阿部真輝・竹内 健(中大) ICD2019-30 IE2019-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2019-30 |
抄録 |
(和) |
NAND型フラッシュメモリには、データを保持できる時間や読み出し回数といったメモリの寿命が存在する。そこで、ニューラルネットワークを用いて寿命を予測する手法を提案した。また、メモリ内で発生したエラーを訂正する手法を提案した。メモリのエラー特性をニューラルネットワークに学習させることで、メモリ内に発生したエラーの検出が可能になる。検出したエラーを訂正することによって、フラッシュメモリの高信頼化を実現した。
以上の提案により、メモリの寿命を出荷前に予測することが可能になる。予測した寿命に基づいて選別を行い、長いデータ保持時間が求められるアーカイブなどの市場や頻繁に読み出しが行われる市場のそれぞれに、適切なチップを出荷することが実現できる。 |
(英) |
NAND flash memories have lifetime such as data-retention time and read cycles. This paper proposes neural network technique to predict lifetime of NAND flash memories. In addition, this paper proposes a method to correct cell errors of NAND flash memories. Neural network learns dependence of cell errors and can detect errors. The detected error bits are flipped and corrected. As a result, this method improves the reliability of 3D NAND flash memory.
During pre-shipment test in fabs, lifetime of NAND flash memories is predicted. Based on the lifetime, NAND flash chips are sorted. Optimal chips are shipped to markets such as archives where chips with long data-retention lifetime are required and markets where data is read frequently, respectively. |
キーワード |
(和) |
3次元NAND型フラッシュメモリ / ニューラルネットワーク / 誤り訂正符号 / / / / / |
(英) |
NAND Flash Memory / Neural Network / Error-correcting Code / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 284, ICD2019-30, pp. 7-12, 2019年11月. |
資料番号 |
ICD2019-30 |
発行日 |
2019-11-07 (ICD, IE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ICD2019-30 IE2019-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2019-30 |
研究会情報 |
研究会 |
VLD DC CPSY RECONF ICD IE IPSJ-SLDM IPSJ-EMB |
開催期間 |
2019-11-13 - 2019-11-15 |
開催地(和) |
愛媛県男女共同参画センター |
開催地(英) |
Ehime Prefecture Gender Equality Center |
テーマ(和) |
デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- |
テーマ(英) |
Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ICD |
会議コード |
2019-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-ICD-IE-SLDM-EMB-ARC |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
3次元NAND型フラッシュメモリにおけるニューラルネットワークを用いた寿命予測と高信頼化手法 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Neural Network-based Lifetime Prediction and Reliability Enhancement Techniques for 3D NAND Flash Memory |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
3次元NAND型フラッシュメモリ / NAND Flash Memory |
キーワード(2)(和/英) |
ニューラルネットワーク / Neural Network |
キーワード(3)(和/英) |
誤り訂正符号 / Error-correcting Code |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
阿部 真輝 / Masaki Abe / アベ マサキ |
第1著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
第2著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2019-11-14 14:15:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ICD |
資料番号 |
ICD2019-30, IE2019-36 |
巻番号(vol) |
vol.119 |
号番号(no) |
no.284(ICD), no.285(IE) |
ページ範囲 |
pp.7-12 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2019-11-07 (ICD, IE) |