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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-15 13:00 ［基調講演］Persistent Memoryの技術動向 ○今村智史（富士通研）  VLD2019-48 ICD2019-37 IE2019-43 CPSY2019-47 DC2019-72 RECONF2019-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2019-37 |
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| 抄録 | （和） | アプリケーションが処理するデータ容量は年々増大し続けており，大容量データの高速処理を実現するために主記憶の容量増大が求められている．しかしながら，これまで主記憶として一般的に使用されてきた DRAM の容量増大は限界を迎えつつある．そのため，従来のDRAMに比べ大容量かつ安価な次世代メモリデバイスである PM（Persistent Memory）が近年注目を集めている．PMはDRAMと同様にメモリバスに接続可能かつバイト単位でのアクセスが可能であり，さらに電源遮断時でもデータを保持し続けられる「不揮発性」を有する．PM の実製品が近々市場に登場する見込みであり，今後のコンピュータシステムにおける主記憶の構成はこれまでと大きく変化することが予想される． そこで，本発表ではPMの最新技術動向を紹介する．はじめに，PMの概要や世界初のPM製品であるIntel® Optane™ DC Persistent Memoryを紹介する．また，当該PM製品の性能評価を行った論文を引用し，その性能特性について説明する．さらに，各種ベンダが提案しているPMのユースケースやその不揮発性を活用するためのプログラミングについて説明を行う． |
| （英） | As the amount of data handled by applications increases every year, the demand for the larger capacity of main memory has been growing. Although DRAM has been used as main memory for a few decades, its capacity and cost are expected not to scale further due to physical limitations. Therefore, persistent memory (PM) that has a larger capacity with lower cost than DRAM is attracting a lot of attention in both industry and academia. PM is byte-addressable non-volatile memory that can sit on a memory bus and can retain data across power failures. A first PM product will be released in market soon, and we can expect a big change in main memory systems on future computer systems. This talk will introduce the technology trends of PM. At first, it will describe the overview of PM and a first PM product called Intel® Optane™ DC Persistent. It will also present the performance characteristic of this PM product with experimental results shown in a paper published from University of California, San Diego. Moreover, it will introduce the use cases of PM proposed by several vendors and programming for utilizing the non-volatility of PM. |
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| キーワード | （和） | Persistent memory / 不揮発性メモリ / Intel Optane DC Persistent Memory / / / / / |
| （英） | Persistent memory / Non-volatile memory / Intel Optane DC Persistent Memory / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 286, CPSY2019-47, pp. 55-55, 2019年11月. | |
| 資料番号 | CPSY2019-47 | |
| 発行日 | 2019-11-06 (VLD, DC), 2019-11-07 (ICD, IE, CPSY, RECONF) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2019-48 ICD2019-37 IE2019-43 CPSY2019-47 DC2019-72 RECONF2019-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2019-37 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC CPSY RECONF ICD IE IPSJ-SLDM IPSJ-EMB |
| 開催期間 | 2019-11-13 - 2019-11-15 |
| 開催地（和） | 愛媛県男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Ehime Prefecture Gender Equality Center |
| テーマ（和） | デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPSY |
| 会議コード | 2019-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-ICD-IE-SLDM-EMB-ARC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Persistent Memoryの技術動向 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Technology Trends of Persistent Memory |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Persistent memory / Persistent memory |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性メモリ / Non-volatile memory |
| キーワード(3)（和/英） | Intel Optane DC Persistent Memory / Intel Optane DC Persistent Memory |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
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| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今村 智史 / Satoshi Imamura / イマムラ サトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： FLL) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-15 13:00:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | CPSY |
| 資料番号 | VLD2019-48, ICD2019-37, IE2019-43, CPSY2019-47, DC2019-72, RECONF2019-43 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.282(VLD), no.284(ICD), no.285(IE), no.286(CPSY), no.283(DC), no.287(RECONF) |
| ページ範囲 | p.175(VLD), p.43(ICD), p.43(IE), p.55(CPSY), p.175(DC), p.33(RECONF) |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2019-11-06 (VLD, DC), 2019-11-07 (ICD, IE, CPSY, RECONF) |
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