| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-15 15:45 QLC NAND型フラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDにおける最適な不揮発性メモリ構成の設計 ○高井良貴・福地 守・松井千尋・木下怜佳・竹内 健（中大）  ICD2019-41 IE2019-47 |
|
| 抄録 | （和） | NAND型フラッシュメモリはセルあたりのビット数を増加させることにより，容量密度を大きくし，ビットコストを低減させてきた．ただし，セルあたりのビット数を増加させるとともに，読み出し・書き込みの時間は長くなる．近年，セルあたりに4ビットの情報を保持できるquadruple-level cell (QLC) NAND型フラッシュメモリが登場した．これは，NAND型フラッシュメモリの中で最も大容量・低コストではあるが，最も低速なメモリとなる．一方で，NAND型フラッシュメモリよりも高速かつ高コストなストレージクラスメモリの開発が進んでいる．本論文ではQLC NAND型フラッシュメモリに着目し，これらの複数種類の不揮発性メモリを組み合わせ，ハイブリッドSSDモデルのシミュレーション評価を行い最適な不揮発性メモリ構成を設計し解析する． |
| （英） | In order to expand capacity and reduce cost of NAND flash memory, the number of bits per cell has been increased. However, as the number of bits per cell increases, read and write latency become longer. Recently, quadruple-level cell (QLC) NAND flash that stores four bits per cell has been put into market. QLC NAND flash has the largest capacity and the lowest cost but lowest performance in NAND flash memories. On the other hand, storage class memories with higher performance and cost than NAND flash have been developed. Focusing on QLC NAND flash, hybrid SSDs configured with these non-volatile memories are evaluated by simulation, and optimal non-volatile memory configuration is analyzed. | |
| キーワード | （和） | QLC NAND型フラッシュメモリ / ストレージクラスメモリ / ハイブリッドSSD / / / / / |
| （英） | QLC NAND flash memory / Storage class memory / Hybrid SSD / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 284, ICD2019-41, pp. 59-63, 2019年11月. | |
| 資料番号 | ICD2019-41 | |
| 発行日 | 2019-11-06 (ICD, IE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2019-41 IE2019-47 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC CPSY RECONF ICD IE IPSJ-SLDM IPSJ-EMB |
| 開催期間 | 2019-11-13 - 2019-11-15 |
| 開催地（和） | 愛媛県男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Ehime Prefecture Gender Equality Center |
| テーマ（和） | デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2019-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-ICD-IE-SLDM-EMB-ARC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | QLC NAND型フラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDにおける最適な不揮発性メモリ構成の設計 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design of optimal NV-memory configuration for hybrid SSD with QLC NAND flash memory |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | QLC NAND型フラッシュメモリ / QLC NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | ストレージクラスメモリ / Storage class memory |
| キーワード(3)（和/英） | ハイブリッドSSD / Hybrid SSD |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高井 良貴 / Yoshiki Takai / タカイ ヨシキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福地 守 / Mamoru Fukuchi / フクチ マモル |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 千尋 / Chihiro Matsui / マツイ チヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 怜佳 / Reika Kinoshita / キノシタ レイカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第5著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-15 15:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2019-41, IE2019-47 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.284(ICD), no.285(IE) |
| ページ範囲 | pp.59-63 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2019-11-06 (ICD, IE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]