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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-21 13:00 リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善 ○加藤大望・梶原瑛祐・向井 章・大野浩志・新留 彩・田島純平・彦坂年輝・蔵口雅彦・布上真也（東芝）  ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82 |
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| 抄録 | （和） | リセス深さによるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果 (SCEs) 改善を検討した．TCADによる電界分布解析により，リセス深さを深くすることでリセス端部での電界集中が低減することを確認した．解析結果を検証するため，リセス深さを45-165 nmに変化させた素子を作製し，その評価を行った．実験の結果，より深いリセス構造にすることでDrain-induced barrier lowering (DIBL)の抑制，subthreshold swing (SS)，及びしきい値電圧 (Vth) の負シフトが効果的に改善することを確認した． |
| （英） | We have demonstrated the suppression of SCEs in normally-off GaN MOSFETs with deep recessed-gate structure. TCAD simulation results show the electric field concentration is effectively reduced at the recessed edge of the MOSFETs with the deeper recessed-gate structure. To demonstrate the suppression of SCEs, the MOSFET gate structures with different recess depth ranging from 45 to 165 nm were fabricated and evaluated. The experimental results show that the deeper recessed-gate structure is highly effective for the suppression of the DIBL and improvement of SS and Vth roll-off. | |
| キーワード | （和） | リセスゲート構造 / ノーマリオフ / GaN MOSFET / 短チャンネル効果 / / / / |
| （英） | Recessed-gate structure / Normally-off / GaN MOSFET / Short-channel effects / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 302, ED2019-39, pp. 29-32, 2019年11月. | |
| 資料番号 | ED2019-39 | |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2019-11-21 - 2019-11-22 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2019-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Short-Channel Effects in Normally-off GaN MOSFETs with Deep Recessed-Gate Structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | リセスゲート構造 / Recessed-gate structure |
| キーワード(2)（和/英） | ノーマリオフ / Normally-off |
| キーワード(3)（和/英） | GaN MOSFET / GaN MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | 短チャンネル効果 / Short-channel effects |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 大望 / Daimotsu Kato / カトウ ダイモツ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梶原 瑛祐 / Yosuke Kajiwara / カジワラ ヨウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 向井 章 / Akira Mukai / ムカイ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 浩志 / Hiroshi Ono / オオノ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新留 彩 / Aya Shindome / シンドメ アヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田島 純平 / Jumpei Tajima / タジマ ジュンペイ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 彦坂 年輝 / Toshiki Hikosaka / ヒコサカ トシキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蔵口 雅彦 / Masahiko Kuraguchi / クラグチ マサヒコ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 布上 真也 / Shinya Nunoue / ヌノウエ シンヤ |
| 第9著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-21 13:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2019-39, CPM2019-58, LQE2019-82 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.302(ED), no.303(CPM), no.304(LQE) |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |
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