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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-12-24 13:25 SiO2/GaN MOS構造における電極形成後アニール前後の界面及び膜中電荷の評価 ○古川暢昭・上沼睦典・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）  EID2019-5 SDM2019-80 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2019-5 SDM2019-80 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 356, SDM2019-80, pp. 1-4, 2019年12月. | |
| 資料番号 | SDM2019-80 | |
| 発行日 | 2019-12-17 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2019-5 SDM2019-80 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2019-5 SDM2019-80 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID ITE-IDY |
| 開催期間 | 2019-12-24 - 2019-12-24 |
| 開催地（和） | 奈良先端大(物質領域 大講義室） |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | 半導体材料プロセス・デバイス研究会 |
| テーマ（英） | Semiconductor Material Process and Device Meeting |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-12-SDM-EID-IDY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiO2/GaN MOS構造における電極形成後アニール前後の界面及び膜中電荷の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluate interface charges and bulk oxide charges on SiO2/GaN MOS structure before and after post-metallization annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
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| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古川 暢昭 / Masaaki Furukawa / フルカワ マサアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma / ウエヌマ ムツノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-12-24 13:25:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2019-5, SDM2019-80 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.355(EID), no.356(SDM) |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-12-17 (EID, SDM) |
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