講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-01-24 11:10
[ポスター講演]低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用 ○河野守哉・森 海・是友大地・古田 守(高知工科大) EID2019-16 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2019-16 |
抄録 |
(和) |
フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)絶縁膜の膜物性を評価した結果、熱処理温度150℃、膜厚20 nmにおいて6.2 MV/cmと良好な絶縁破壊電界強度を示した。このAl2O3をゲート絶縁膜に用い、最高プロセス温度150℃にてInGaZnOx (IGZO) TFTを作製した結果、ゲート絶縁膜厚20 nmにおいても1 pA以下の低リーク電流かつ、良好な特性を実現した。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
InGaZnO(IGZO) / 酸化アルミニウム / 陽極酸化 / 薄膜トランジスタ(TFT) / / / / |
(英) |
InGaZnO(IGZO) / Aluminum oxide / anodization / Thin Film Transistor (TFT) / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 385, EID2019-16, pp. 129-131, 2020年1月. |
資料番号 |
EID2019-16 |
発行日 |
2020-01-16 (EID) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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