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講演抄録/キーワード
講演名 2020-01-30 14:55
Si3N4導波路を用いた自己位相変調に基づく非線形光デバイスの基礎的検討
高橋考二石原大輝海堀祐太阪大)・井上 卓浜松ホトニクス)・小西 毅阪大PN2019-42 EMT2019-82 MWP2019-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMT2019-82 MWP2019-56
抄録 (和) 窒化シリコン導波路は,シリコン導波路における二光子吸収の影響を抑制する新しいアプローチとして期待されている.本研究では,シリカ,シリコン,窒化シリコン導波路を用いて非線形光デバイスとして比較検討を行い,さらに,窒化シリコン導波路の作製と二光子吸収の顕著となるパワーを指標に発生可能な自己位相変調の非線形位相変化の度合い(利用可能なスペクトル変化量)を検討した.三次の非線形光学効果の中で比較的低いパワーで誘引させることができ,二光子吸収の影響が顕著となる前に効率よく発生できる効果として,自己位相変調を取り上げて検討を行った. 
(英) A Si3N4 waveguide is expected to solve the issue of two photon absorption (TPA) on a Si waveguide at relatively high power range and the use of a Si3N4 waveguide would be much better than a Si waveguide after the staring power of TPA influence. In this work, the appropriate power range of a Si3N4 waveguide is examined by checking the starting power of TPA influence and the input power dependency of the amount of SPM-induced spectral change in both of Si and Si3N4 waveguides.
キーワード (和) シリコンフォトニクス / 窒化シリコン / 自己位相変調 / 二光子吸収 / / / /  
(英) Silicon photonics / Silicon nitride / Self-phase modulation / Two-photon absorption / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 402, PN2019-42, pp. 45-48, 2020年1月.
資料番号 PN2019-42 
発行日 2020-01-23 (PN, EMT, MWP) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 MWP PN EMT PEM IEE-EMT  
開催期間 2020-01-30 - 2020-01-31 
開催地(和) 同志社大学 
開催地(英) Dosisha Univ. 
テーマ(和) フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 PN 
会議コード 2020-01-MWP-PN-EMT-PEM-EMT 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si3N4導波路を用いた自己位相変調に基づく非線形光デバイスの基礎的検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Verification of self-phase modulation-based nonlinear optical device using Si3N4 waveguide 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon photonics  
キーワード(2)(和/英) 窒化シリコン / Silicon nitride  
キーワード(3)(和/英) 自己位相変調 / Self-phase modulation  
キーワード(4)(和/英) 二光子吸収 / Two-photon absorption  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 考二 / Koji Takahashi / タカハシ コウジ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石原 大輝 / Daiki Ishihara / イシハラ ダイキ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 海堀 祐太 / Yuta Kaihori / カイホリ ユウタ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 卓 / Takashi Inoue / イノウエ タカシ
第4著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス (略称: 浜松ホトニクス)
Hamamatsu Photonics (略称: Hamamatsu Photonics)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小西 毅 / Tsuyoshi Konishi / コニシ ツヨシ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2020-01-30 14:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 PN 
資料番号 PN2019-42, EMT2019-82, MWP2019-56 
巻番号(vol) vol.119 
号番号(no) no.402(PN), no.403(EMT), no.404(MWP) 
ページ範囲 pp.45-48 
ページ数
発行日 2020-01-23 (PN, EMT, MWP) 


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