講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-01-30 14:55
Si3N4導波路を用いた自己位相変調に基づく非線形光デバイスの基礎的検討 ○高橋考二・石原大輝・海堀祐太(阪大)・井上 卓(浜松ホトニクス)・小西 毅(阪大) PN2019-42 EMT2019-82 MWP2019-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMT2019-82 MWP2019-56 |
抄録 |
(和) |
窒化シリコン導波路は,シリコン導波路における二光子吸収の影響を抑制する新しいアプローチとして期待されている.本研究では,シリカ,シリコン,窒化シリコン導波路を用いて非線形光デバイスとして比較検討を行い,さらに,窒化シリコン導波路の作製と二光子吸収の顕著となるパワーを指標に発生可能な自己位相変調の非線形位相変化の度合い(利用可能なスペクトル変化量)を検討した.三次の非線形光学効果の中で比較的低いパワーで誘引させることができ,二光子吸収の影響が顕著となる前に効率よく発生できる効果として,自己位相変調を取り上げて検討を行った. |
(英) |
A Si3N4 waveguide is expected to solve the issue of two photon absorption (TPA) on a Si waveguide at relatively high power range and the use of a Si3N4 waveguide would be much better than a Si waveguide after the staring power of TPA influence. In this work, the appropriate power range of a Si3N4 waveguide is examined by checking the starting power of TPA influence and the input power dependency of the amount of SPM-induced spectral change in both of Si and Si3N4 waveguides. |
キーワード |
(和) |
シリコンフォトニクス / 窒化シリコン / 自己位相変調 / 二光子吸収 / / / / |
(英) |
Silicon photonics / Silicon nitride / Self-phase modulation / Two-photon absorption / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 402, PN2019-42, pp. 45-48, 2020年1月. |
資料番号 |
PN2019-42 |
発行日 |
2020-01-23 (PN, EMT, MWP) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
PN2019-42 EMT2019-82 MWP2019-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMT2019-82 MWP2019-56 |