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| 講演名 | 2020-03-05 15:20 ［記念講演］Workload-aware Data-eviction Self-adjusting System of Multi-SCM Storage to Resolve Trade-off between SCM Data-retention Error and Storage System Performance ○Reika Kinoshita・Chihiro Matsui・Atsuya Suzuki・Shouhei Fukuyama・Ken Takeuchi（Chuo Univ.）  VLD2019-119 HWS2019-92 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | Storage Class Memories (SCMs) are used as non-volatile (NV) cache memory as well as storage. Multi-SCM storage with two types of SCMs, M-SCM (fast but small capacity memory-type SCM) and S-SCM (slow but large capacity storage-type SCM), has been proposed. In Multi-SCM storage, M-SCM works as NV-cache of S-SCM based storage. M-SCM such as MRAM is fast but may suffer from thermal instabilities and cause data-retention errors at high temperature. Therefore, data in M-SCM should be evicted to S-SCM at short interval before exceeding acceptable data-retention time. However, in case of short interval eviction, frequent data eviction from M-SCM to S-SCM severely degrades the storage system performance. To resolve this trade-off between data-retention reliability and the storage system performance, this paper proposes workload-aware data-eviction self-adjusting system. Proposed system is composed of Access Frequency Monitor (Proposal 1) and Evict Interval Adjustment (Proposal 2). Proposal 1 observes the access frequency of evicted data that directly affects data-retention time of M-SCM. By referring to the results of Proposal 1, Proposal 2 automatically changes the data-eviction interval so that long retention data are moved immediately to S-SCM and the storage system performance can be improved. As a result, maximum data-retention time of M-SCM decreases by 83%, and the storage system performance increases by 5.9 times. Moreover, the acceptable endurance increases by 103 times. Finally, measured data-retention errors and memory cell area decrease by 79% and 5.7%, respectively. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | Storage class memory (SCM) / ReRAM / Data-retention error / Data eviction / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 443, VLD2019-119, pp. 145-150, 2020年3月. | |
| 資料番号 | VLD2019-119 | |
| 発行日 | 2020-02-26 (VLD, HWS) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2019-119 HWS2019-92 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | HWS VLD |
| 開催期間 | 2020-03-04 - 2020-03-07 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Ken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | システムオンシリコンを支える設計技術, ハードウェアセキュリティ, 一般 |
| テーマ（英） | Design Technology for System-on-Silicon, Hardware Security, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2020-03-HWS-VLD |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Workload-aware Data-eviction Self-adjusting System of Multi-SCM Storage to Resolve Trade-off between SCM Data-retention Error and Storage System Performance |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Storage class memory (SCM) |
| キーワード(2)（和/英） | / ReRAM |
| キーワード(3)（和/英） | / Data-retention error |
| キーワード(4)（和/英） | / Data eviction |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 怜佳 / Reika Kinoshita / キノシタ レイカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 千尋 / Chihiro Matsui / マツイ チヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 敦也 / Atsuya Suzuki / スズキ アツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福山 将平 / Shouhei Fukuyama / フクヤマ ショウヘイ |
| 第4著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第5著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-03-05 15:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2019-119, HWS2019-92 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.443(VLD), no.444(HWS) |
| ページ範囲 | pp.145-150 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2020-02-26 (VLD, HWS) |
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