講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-03-05 11:20
シャント抵抗に並列なCMOS移相補償スイッチを装荷した広帯域可変減衰器 ○川崎健吾・津留正臣・下沢充弘(三菱電機) MW2019-142 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2019-142 |
抄録 |
(和) |
ここでは広帯域に移相を補償した型可変減衰器を提案し,その試作結果を報告する.提案する型可変減衰器は,シャント容量が減衰量切替え前後で一定となるように,移相補償用のMOSスイッチをシャント抵抗に並列接続した構成である.提案する可変減衰器を0.18mCMOSプロセスを用いて試作した結果,従来構成の型可変減衰器と比べて8.2倍の広帯域な特性が得られることを確認した. |
(英) |
This paper presents a novel wideband -shaped switched variable attenuator. The proposed wideband variable -shaped attenuator employees a MOS switches connected to the shunt resistors in parallel. These MOS switches compensate a phase variation by the capacitance of the OFF state of MOS switch. The proposed variable -shaped attenuator is designed and fabricated by using 0.18 m CMOS process. The proposed variable attenuator achieves 8.2 times wideband compared the conventional circuit configuration without the compensation. |
キーワード |
(和) |
減衰器 / π型減衰器 / 広帯域 / CMOS / RFIC / / / |
(英) |
Attenuator / pi-shaped attenuator / Wideband / CMOS / RFIC / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 459, MW2019-142, pp. 11-15, 2020年3月. |
資料番号 |
MW2019-142 |
発行日 |
2020-02-27 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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