| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2020-09-28 15:15
基板付き薄膜共振子の基板内損失を含まない新規kt2評価法と従来法の比較 ○龍見亮汰・柳谷隆彦(早大) US2020-37 |
| 抄録 |
(和) |
電気機械結合係数(kt2)は圧電薄膜デバイスの性能を決定づけるパラメータの1つである。例えば、kt2が大きいほど、スマートフォン用のRF-BAWフィルタは広帯域・低挿入損失となり、より多くの無線規格を満たすことができる。BAWフィルタ用の圧電薄膜のkt2評価にはIEEE standardの共振反共振法が用いられる。しかし、共振反共振法は基板なし圧電薄膜共振子においてでしか適用できない。基板付き圧電薄膜共振子(ウェハ状態)から基板なし圧電薄膜共振子を作製するためには、基板エッチング等の工程に時間とコストがかかる。そのため、As-grownウェハのままkt2を抽出する意義は大きい。基板付き薄膜共振子のkt2の抽出法として、変換損失法が報告されているが、基板内の損失によりkt2が低く見積もられてしまう。そこで我々はこの問題点を克服するために、基板内の損失を推定して差し引く方法と、基板内の損失を含まない電磁結合信号を用いる方法を提案する。 |
| (英) |
According to the IEEE standard, the resonance-antiresonance method for a self-standing film structure is recommended to determine kt2 of the piezoelectric film. It is convenient and cost-effective to determine the kt2 from the film/wafer structure (HBAR) or epitaxial wafers. kt2 is underestimated due to the acoustic losses in the substrate in the conventional conversion loss (CL) method, which can extract the kt2 from HBAR. In this study, we introduce two CL methods: (i) the method subtracting the acoustic losses in the substrate, (ii) the method using electromagnetic signal including no acoustic losses. |
| キーワード |
(和) |
電気機械結合係数 / HBAR / ScAlN / 高周波測定 / / / / |
| (英) |
electromechanical coupling coefficient / HBAR / ScAlN / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 174, US2020-37, pp. 57-60, 2020年9月. |
| 資料番号 |
US2020-37 |
| 発行日 |
2020-09-21 (US) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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US2020-37 |