講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-10-05 14:20
SmFe2超磁歪薄膜を用いたピエゾエレクトロニック・磁気トンネル接合素子の最近の研究 ○浦下宗輝・小野澤 隼・北川涼太・冨田誠人・春本高志・史 蹟・中村吉男・高村陽太・中川茂樹(東工大) MRIS2020-3 エレソ技報アーカイブへのリンク:MRIS2020-3 |
抄録 |
(和) |
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)の不揮発性記憶素子である磁気トンネル接合素子(MTJ)においては,磁化反転時に必要な電流密度と情報の熱安定性の間にはトレードオフ関係が存在する.我々は,この関係を打破し消費電力をさらに下げられるデバイスとして,負の超磁歪を持つSmFe2薄膜をフリー層に用いたMTJと,その周囲に形成した圧電体から成る圧力印加構造で構成されるピエゾエレクトロニック・磁気トンネル接合(PE-MTJ)を提案している.本発表では,デバイスプロセス中に大気暴露されるSmFe2円柱の側面が酸化されることを円柱の磁化特性の直径依存性から明らかにした.また,面内磁化型SmFe2を記憶磁性層に含むMTJを試作し,磁化の平行/反平行状態およびトンネル伝導特性を確認した. |
(英) |
In magnetic tunnel junctions (MTJs) for magnetoresistive random access memory, a trade-off relationship between the critical current density for magnetization reversal and the thermal stability of the free layer exist. To overcome this tradeoff relationship, we have proposed a piezo-electronic magnetic tunnel junctions (PE-MTJ) consisting of a MTJ using a SmFe2 free layer with negative giant magnetostriction and a pressurized structure composed of a piezoelectric material and metal electrode. In this report, we discuss potential issues in device processing to fabricate MTJ using SmFe2 thin film and report the experimental results of fabricated MTJs. According to magnetic properties for the piler with various diameter, the side of SmFe2 pilers slightly got oxidized by exposure to the air after etching process. The MTJs showed parallel/anti-parallel magnetic configuration and tunneling transport behavior. |
キーワード |
(和) |
磁歪 / 逆磁歪効果 / 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ / MRAM / / / / |
(英) |
Magnetostriction / Inverse magnetostriction effect / Magnetoresistive random access memory / MRAM / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 180, MRIS2020-3, pp. 12-15, 2020年10月. |
資料番号 |
MRIS2020-3 |
発行日 |
2020-09-28 (MRIS) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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