| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2020-12-02 12:10
IGZO薄膜シナプスを用いた脳型システム ○大西祐輝・柴山友輝・山川大樹(龍谷大)・池田裕哉・中島康彦(奈良先端大)・木村 睦(龍谷大/奈良先端大) EID2020-7 SDM2020-41 |
| 抄録 |
(和) |
ニューラルネットワークは、将来のエレクトロニクス技術として積極的に研究されてきた。しかし、ノイマン型の算術処理法では大量の情報を効率的に処理することができないため、並列分散処理が可能なニューロコンピューティング方が注目を集めている。我々は、薄膜デバイスを用いたニューラルネットワークの研究開発を行っている。本研究では、LSIを用いたニューラルネットワークのためのIn-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜シナプスを作製した。IGZO薄膜のシナプス特性を評価し、シナプスデバイスの基本的な動作を確認した。また、作成したデバイスを用いた文字認識実験に成功した。 |
| (英) |
Neural networks have been actively studied as a future electronics technology. However, since the von Neumann-type arithmetic processing method cannot efficiently process a large amount of information, the neurocomputing method capable of parallel distributed processing is attracting attention. We are conducting research and development of neural networks using thin film devices. In this study, we created In-Ga-Zn-O (IGZO) thin film synapses for neural networks using LSI. We evaluated the synaptic properties of IGZO thin films and confirmed the basic operation of synaptic devices. We also succeeded in a character recognition experiment using the created device. |
| キーワード |
(和) |
ニューラルネットワーク / IGZO薄膜 / 可変抵抗素子 / 脳型集積システム / LSI / ニューロン / シナプス / |
| (英) |
Neural network / IGZO thin film / Variable resistance element / Brain type integrated system / LSI / Neuron / Synapse / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 272, EID2020-7, pp. 25-28, 2020年12月. |
| 資料番号 |
EID2020-7 |
| 発行日 |
2020-11-25 (EID, SDM) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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