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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-12-02 16:30 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ ○福井智貴・中川滉貴・木村 睦（龍谷大）  EID2020-14 SDM2020-48 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)₄Ti₃O₁₂(BLT)を用いて、強誘電体ゲート薄膜トランジスタ(FeTFT)を作製し、TFT特性を評価した。まずリーク電流を抑えTFT特性を得るために、BLTの良好な結晶性を実現するアニール条件の検討を行った。次に、良好なI-V特性を得るための最適なポストアニール条件を検討した。その結果、ポストアニール100℃で移動度1.58 cm²/Vs、SS値0.84 V、しきい値電圧Vth 5.05 V、オン電流ION 0.16 mA、ヒステリシス幅3.5 VのTFT特性、反時計回りのヒステリシスを確認した。 |
| （英） | We fabricated a ferroelectric-gate thin-film transistor (FeTFT) with an amorphous Ga-Sn-O (GTO) channel and a ferroelectric (Bi,La)₄Ti₃O₁₂ (BLT) gate insulator, and evaluated the TFT characteristics and the crystallinity of BLT by X-ray diffraction (XRD). First, in order to decrease the leakage current and to obtain TFT characteristics , the annealing conditions for good crystalline of BLT-thin-film by the RF magnetron sputtering method were considered. In this study, the annealing was performed at three different temperature. Second, the post-annealing conditions of GTO thin film to obtain high-performance drain current versus gate voltage (I-V) characteristics were investigated to prepare the excellent a-GTO channel. As a result, a TFT with mobility 1.58 cm² / Vs, SS value 0.84 V, threshold voltage Vth 5.05 V, on-current ION 0.16 mA, and memory window 3.5 V TFT, and counterclockwise hysteresis were confirmed at post-annealing 100 ℃.We think that increasing the ferroelectricity of BLT will improve the on-current. This is because ferroelectric film can induce large charge density owing to the spontaneous polarization. | |
| キーワード | （和） | 酸化物半導体 / Ga-Sn-O(GTO) / 強誘電体 / (Bi,La)₄Ti₃O₁₂(BLT) / 強誘電体ゲート薄膜トランジスタ(FeTFT) / / / |
| （英） | Oxide Semiconductor / Ga-Sn-O(GTO) / Ferroelectric / (Bi,La)₄Ti₃O₁₂(BLT) / Ferroelectric-gate thin-film Transistor (FeTFT) / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 272, EID2020-14, pp. 54-57, 2020年12月. | |
| 資料番号 | EID2020-14 | |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2020-14 SDM2020-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID SDM ITE-IDY |
| 開催期間 | 2020-12-02 - 2020-12-02 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 / 半導体材料プロセス・デバイス研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2020-12-EID-SDM-IDY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ferroelectric gate thin film transistor using oxide semiconductor Ga-Sn-O |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | Ga-Sn-O(GTO) / Ga-Sn-O(GTO) |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電体 / Ferroelectric |
| キーワード(4)（和/英） | (Bi,La)₄Ti₃O₁₂(BLT) / (Bi,La)₄Ti₃O₁₂(BLT) |
| キーワード(5)（和/英） | 強誘電体ゲート薄膜トランジスタ(FeTFT) / Ferroelectric-gate thin-film Transistor (FeTFT) |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福井 智貴 / Tomoki Fukui / フクイ トモキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku Univercity (略称： Ryukoku Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 滉貴 / Kouki Nakagawa / ナカガワ コウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku Univercity (略称： Ryukoku Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku Univercity (略称： Ryukoku Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-12-02 16:30:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2020-14, SDM2020-48 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.272(EID), no.273(SDM) |
| ページ範囲 | pp.54-57 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |
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