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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-01-25 13:30 MOSゲート型パワー半導体におけるセルフターンオン現象の解析とモデル化 ○西尾貴植・大村一郎（九工大）  EE2020-31 |
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| 抄録 | （和） | パワー半導体を用いたスイッチング電源やモータドライブなどの高速スイッチング回路では、急峻に立ち上がる電圧によるセルフターンオン現象が損失増大や故障の原因になっている。本研究では、従来の原因から視点を変え、スイッチング時の主回路電流によってゲート寄生インダクタンスに発生した電圧がセルフターンオンを引き起こすと仮定し、TCADシミュレーションで解析した。さらにセルフターンオンを防止する回路設計指針を示した。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | セルフターンオン / 誤点弧 / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 340, EE2020-31, pp. 43-46, 2021年1月. | |
| 資料番号 | EE2020-31 | |
| 発行日 | 2021-01-18 (EE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EE2020-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
| 開催期間 | 2021-01-25 - 2021-01-25 |
| 開催地（和） | オンライン開催 (Zoom) |
| 開催地（英） | Online (Zoom) |
| テーマ（和） | 回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連、一般 |
| テーマ（英） | DC/DC converter, New circuit for power conversion and control, others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EE |
| 会議コード | 2021-01-EE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOSゲート型パワー半導体におけるセルフターンオン現象の解析とモデル化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis and modeling of self-turn-on phenomenon of MOS gate type power semiconductors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | セルフターンオン / |
| キーワード(2)（和/英） | 誤点弧 / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西尾 貴植 / Takanao Nishio / ニシオ タカナオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： Kyutech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大村 一郎 / Ichiro Omura / オオムラ イチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： Kyutech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-01-25 13:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | EE |
| 資料番号 | EE2020-31 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.340 |
| ページ範囲 | pp.43-46 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-01-18 (EE) |
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