| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-01-28 15:05 ［招待講演］InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ/Si接合による垂直ゲートオールアラウンドトンネルFETの作製 ○冨岡克広・蒲生浩憲・本久順一・福井孝志（北大）  SDM2020-52 |
|
| 抄録 | （和） | 本研究では，InGaAsナノワイヤコアマルチシェル(CMS)ナノワイヤ(NW)/Siからなるヘテロ接合を用いた縦型ゲートアラウンド構造型トンネルFET (VGAA-TFET)について報告する．CMS構造は，変調ドープ構造を有するInGaAs/InP/AlInP/InP多層膜構造で構成され，この構造による縦型TFET素子は，急峻なサブスレッショルド係数(SS)とオン電流の向上を示した．最小SS係数は，nチャネル動作で21mV/桁であった．また，この素子はFETの最大理論限界(38.5/V)を上回る高い伝達効率を低電流領域で示した(520/V)． |
| （英） | We demonstrate vertical gate-all-around (VGAA) tunnel FETs (TFETs) using InGaAs core-multishell (CMS) nanowire (NW)/Si heterojunction. The CMS structure was composed of modulation-doped InGaAs/InP/AlInAs/InP multi layers. The device showed current enhancement with a steep subthreshold slope (SS). The minimum SS was 21 mV/decade. The device showed high transconductance efficiency of around 520/V, which exceed the theoretical maximum limit for conventional FETs (38.5/V). | |
| キーワード | （和） | トンネル電界効果トランジスタ / ナノワイヤ / III-V / 縦型ゲートオールアラウンド / / / / |
| （英） | tunnel FET / nanowire / III-V / vertical gate-all-around / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 352, SDM2020-52, pp. 13-16, 2021年1月. | |
| 資料番号 | SDM2020-52 | |
| 発行日 | 2021-01-21 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2020-52 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2021-01-28 - 2021-01-28 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2021-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ/Si接合による垂直ゲートオールアラウンドトンネルFETの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Vertical Gate-All-Around Tunnel FETs Using InGaAs Nanowire/Si with Core-Multishell Structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネル電界効果トランジスタ / tunnel FET |
| キーワード(2)（和/英） | ナノワイヤ / nanowire |
| キーワード(3)（和/英） | III-V / III-V |
| キーワード(4)（和/英） | 縦型ゲートオールアラウンド / vertical gate-all-around |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冨岡 克広 / Katsuhiro Tomioka / トミオカ カツヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蒲生 浩憲 / Hironori Gamo / ガモウ ヒロノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本久 順一 / Junichi Motohisa / モトヒサ ジュンイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福井 孝志 / Takashi Fukui / フクイ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-01-28 15:05:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2020-52 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.352 |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-01-21 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]