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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-01-29 13:50 β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析 ○上村崇史・中田義昭・東脇正高（NICT）  ED2020-33 MW2020-86 |
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| 抄録 | （和） | ゲート長200 nmのβ-Ga2O3金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) において，電流利得遮断周波数 9 GHz，最大発振周波数 27 GHzという優れたRF小信号特性を達成した．このMOSFETの簡単な遅延時間解析から, 実効電子速度は約2 × 106 cm/sと見積もられた. さらに, Ga2O3チャネルの比較的低い電子移動度のためにシート抵抗が大きいことから, 電荷充電遅延が全遅延時間の大きな割合を占めていることが分かった. このため, Ga2O3 MOSFETの高周波性能を向上のためには, アクセス抵抗の大幅な低減が不可欠である． |
| （英） | Superior RF small-signal characteristics of a current-gain cutoff frequency (fT) of 9 GHz and a maximum oscillation frequency (fmax) of 27 GHz were achieved for β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with a gate length of 200 nm. From simple delay-time analysis on the MOSFETs, the effective electron velocity was estimated to be about 2 × 106 cm/s. Moreover, it was analyzed that the parasitic channel charging delay occupied a substantial proportion of the total delay due to a large sheet resistance caused by a relatively low electron mobility of the Ga2O3 channel. Significant reduction in the access resistance is considered to be indispensable in improving high-frequency performance of Ga2O3 MOSFETs. | |
| キーワード | （和） | 酸化ガリウム / MOSFET / 高周波特性 / 遅延時間解析 / / / / |
| （英） | Gallium oxide / MOSFET / RF characteristic / Delay time analysis / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 353, ED2020-33, pp. 30-33, 2021年1月. | |
| 資料番号 | ED2020-33 | |
| 発行日 | 2021-01-22 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-33 MW2020-86 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2021-01-29 - 2021-01-29 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2021-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Frequency Characteristics and Delay Time Analysis of β-Ga2O3 MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化ガリウム / Gallium oxide |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波特性 / RF characteristic |
| キーワード(4)（和/英） | 遅延時間解析 / Delay time analysis |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 崇史 / Takafumi Kamimura / カミムラ タカフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 義昭 / Yohisaki Nakata / ナカタ ヨシアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki / ヒガシワキ マサタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-01-29 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2020-33, MW2020-86 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.353(ED), no.354(MW) |
| ページ範囲 | pp.30-33 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-01-22 (ED, MW) |
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