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講演抄録/キーワード
講演名 2021-01-29 14:25
界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化
熊崎祐介多木俊裕小谷淳二尾崎史朗富士通/富士通研)・新井田佳孝富士通研)・美濃浦優一富士通/富士通研)・西森理人富士通)・岡本直哉富士通/富士通研)・佐藤 優中村哲一富士通研)・渡部慶二富士通/富士通研ED2020-34 MW2020-87
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 120, no. 354, MW2020-87, pp. 34-37, 2021年1月.
資料番号 MW2020-87 
発行日 2021-01-22 (ED, MW) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2021-01-29 - 2021-01-29 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2021-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Improved power-added-efficiency in GaN-HEMT on freestanding GaN substrate with reduced interface contamination 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 熊崎 祐介 / Yusuke Kumazaki / クマザキ ユウスケ
第1著者 所属(和/英) 富士通株式会社/株式会社富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu Limited/Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki / オオキ トシヒロ
第2著者 所属(和/英) 富士通株式会社/株式会社富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu Limited/Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小谷 淳二 / Junji Kotani / コタニ ジュンジ
第3著者 所属(和/英) 富士通株式会社/株式会社富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu Limited/Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾崎 史朗 / Shiro Ozaki / オザキ シロウ
第4著者 所属(和/英) 富士通株式会社/株式会社富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu Limited/Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 新井田 佳孝 / Yoshitaka Niida / ニイダ ヨシタカ
第5著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 美濃浦 優一 / Yuichi Minoura / ミノウラ ユウイチ
第6著者 所属(和/英) 富士通株式会社/株式会社富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu Limited/Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 西森 理人 / Masato Nishimori / ニシモリ マサト
第7著者 所属(和/英) 富士通株式会社 (略称: 富士通)
Fujitsu Limited (略称: Fujitsu)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 直哉 / Naoya Okamoto / オカモト ナオヤ
第8著者 所属(和/英) 富士通株式会社/株式会社富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu Limited/Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 優 / Masaru Sato / サトウ マサル
第9著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 哲一 / Norikazu Nakamura / ナカムラ ノリカズ
第10著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 慶二 / Keiji Watanabe / ワタナベ ケイジ
第11著者 所属(和/英) 富士通株式会社/株式会社富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu Limited/Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2021-01-29 14:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MW 
資料番号 ED2020-34, MW2020-87 
巻番号(vol) vol.120 
号番号(no) no.353(ED), no.354(MW) 
ページ範囲 pp.34-37 
ページ数
発行日 2021-01-22 (ED, MW) 


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