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講演抄録/キーワード
講演名 2021-03-02 11:05
高い注入障壁を有するNPD/mCP界面をもつ積層薄膜のキャリア輸送特性
佐藤 涼清家善之森 竜雄愛知工大OME2020-28
抄録 (和) 正孔側輸送材料としてα-NPDとmCPを用いて、外部量子効率が10%を超えるTADF有機ELを作製した報告がある。α-NPD/mCP間に正孔障壁(~0.7eV)が存在するので、α-NPDとmCPの積層薄膜の正孔伝導を調べた。一般にITO/FSAM/α-NPD(50nm)/Alの正孔電導は空間電荷制限電流(SCLC)で説明できる。α-NPD(50nm)/mCP (10nm)でも、電圧の2乗に比例するSCLCが観測された。これはα-NPD層のSCLCとmCP層のトンネル電導を組み合わせた電導モデルによって説明できることを明らかにした。α-NPD上に堆積したmCP層の厚さが30nm、50nmと増加すると、電流は徐々に減少していく。この結果は、10nmのmCP層の正孔電導がトンネリング過程によるものであることを裏付けるものである。 
(英) We studied the electrical conduction of the bilayer specimen of N,N′-bis(naphthalen-1-yl)-N,N′- bis(phenyl)benzidine (α-NPD) and 1,3-bis(N-carbazolyl) benzene (mCP). The electrical conduction of ITO/FSAM/α-NPD(50 nm)/Al can be explained by a space charge-limited current (SCLC). In the α-NPD(50 nm)/mCP(10 nm) specimen, the current shows the similar to that of the α-NPD (50nm) specimen in spite of the existence of hole barrier between α-NPD/mCP. The current in the α-NPD/mCP specimen is also proportional to the square voltage. We propose the conduction model combined with SCLC in the α-NPD layer and the tunneling in the mCP layer.
キーワード (和) mCP / α-NPD / SCLC / トンネリング / 正孔輸送 / / /  
(英) mCP / α-NPD / SCLC model / tunneling / hole transport / / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 383, OME2020-28, pp. 35-38, 2021年3月.
資料番号 OME2020-28 
発行日 2021-02-22 (OME) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2020-28

研究会情報
研究会 OME IEE-DEI  
開催期間 2021-03-01 - 2021-03-02 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 有機材料・薄膜、有機デバイス、一般 
テーマ(英) Organic Molecular Electronics 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2021-03-OME-DEI 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高い注入障壁を有するNPD/mCP界面をもつ積層薄膜のキャリア輸送特性 
サブタイトル(和)
タイトル(英) Carrier Conduction Mechanism of Bilayer Films with High Barrier Height at the NPD/mCP Interface 
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英) mCP / mCP  
キーワード(2)(和/英) α-NPD / α-NPD  
キーワード(3)(和/英) SCLC / SCLC model  
キーワード(4)(和/英) トンネリング / tunneling  
キーワード(5)(和/英) 正孔輸送 / hole transport  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 涼 / Ryo Sato / サトウ リョウ
第1著者 所属(和/英) 愛知工業大学 (略称: 愛知工大)
AICHI INSTITUTE OF TECHNOLOGY (略称: AIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 清家 善之 / Yoshiyuki Seike / セイケ ヨシユキ
第2著者 所属(和/英) 愛知工業大学 (略称: 愛知工大)
AICHI INSTITUTE OF TECHNOLOGY (略称: AIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 竜雄 / Tatsuo Mori / モリ タツオ
第3著者 所属(和/英) 愛知工業大学 (略称: 愛知工大)
AICHI INSTITUTE OF TECHNOLOGY (略称: AIT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2021-03-02 11:05:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2020-28 
巻番号(vol) vol.120 
号番号(no) no.383 
ページ範囲 pp.35-38 
ページ数
発行日 2021-02-22 (OME) 


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