| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2021-03-02 11:05
高い注入障壁を有するNPD/mCP界面をもつ積層薄膜のキャリア輸送特性 ○佐藤 涼・清家善之・森 竜雄(愛知工大) OME2020-28 |
| 抄録 |
(和) |
正孔側輸送材料としてα-NPDとmCPを用いて、外部量子効率が10%を超えるTADF有機ELを作製した報告がある。α-NPD/mCP間に正孔障壁(~0.7eV)が存在するので、α-NPDとmCPの積層薄膜の正孔伝導を調べた。一般にITO/FSAM/α-NPD(50nm)/Alの正孔電導は空間電荷制限電流(SCLC)で説明できる。α-NPD(50nm)/mCP (10nm)でも、電圧の2乗に比例するSCLCが観測された。これはα-NPD層のSCLCとmCP層のトンネル電導を組み合わせた電導モデルによって説明できることを明らかにした。α-NPD上に堆積したmCP層の厚さが30nm、50nmと増加すると、電流は徐々に減少していく。この結果は、10nmのmCP層の正孔電導がトンネリング過程によるものであることを裏付けるものである。 |
| (英) |
We studied the electrical conduction of the bilayer specimen of N,N′-bis(naphthalen-1-yl)-N,N′- bis(phenyl)benzidine (α-NPD) and 1,3-bis(N-carbazolyl) benzene (mCP). The electrical conduction of ITO/FSAM/α-NPD(50 nm)/Al can be explained by a space charge-limited current (SCLC). In the α-NPD(50 nm)/mCP(10 nm) specimen, the current shows the similar to that of the α-NPD (50nm) specimen in spite of the existence of hole barrier between α-NPD/mCP. The current in the α-NPD/mCP specimen is also proportional to the square voltage. We propose the conduction model combined with SCLC in the α-NPD layer and the tunneling in the mCP layer. |
| キーワード |
(和) |
mCP / α-NPD / SCLC / トンネリング / 正孔輸送 / / / |
| (英) |
mCP / α-NPD / SCLC model / tunneling / hole transport / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 383, OME2020-28, pp. 35-38, 2021年3月. |
| 資料番号 |
OME2020-28 |
| 発行日 |
2021-02-22 (OME) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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