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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-04-23 16:50 ［招待講演］Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上 ○市川和典（松江高専）  SDM2021-7 OME2021-7 |
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| 抄録 | （和） | 我々はグラフェンTFT ( Thin Film Transistor ) の高い電界効果移動度を得るため, 欠陥の少ないグラフェンの合成に取り組んでいる. これまで酸化されたNi上のグラフェン合成が可能であり, 酸素導入により電流値の向上が明かになっている. そこで本研究においてグラフェン合成前に酸素濃度を詳細に変化させたところ90％～100％の高濃度で高い電流値が得られ,濃度変化による層数制御を可能にした. また, 酸素導入により形成されたNi化合物半導体とグラフェンのヘテロ構造を明らかにし, 高い電流値が得られた酸素濃度65, 90％におけるグラフェンTFTを作製した結果, 各酸素濃度で転写フリ－グラフェンTFTの動作に成功し, 酸素を導入しない場合に比べてドレイン電流が増大しOn/Off比が向上した. 更に相互コンダクタンスについても向上し90％で電子移動度25,200 cm2/Vsの高移動度を示した. |
| （英） | We investigated to form graphene directly on an oxidized Ni layer and measurement of thin film transistor (TFT) with graphene was synthesized in several oxygen concentration for the hetero structure. From results, Dirac points were appeared all graphene TFTs. Compared to the oxygen concentration of 0%, graphene TFT with oxygen concentration of 90% exhibited high performance transfer characteristics with enhanced electron mobility of 25,200 cm/Vs, On/Off ratio of 2.4×103. These results will provide important information for the design of high-mobility TFT architectures for various applications. | |
| キーワード | （和） | グラフェン / 薄膜トランジスタ / ヘテロ接合 / / / / / |
| （英） | graphene / thin film transistor / hetero junction / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 8, SDM2021-7, pp. 26-29, 2021年4月. | |
| 資料番号 | SDM2021-7 | |
| 発行日 | 2021-04-16 (SDM, OME) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2021-7 OME2021-7 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2021-04-23 - 2021-04-24 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2021-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improving the characteristics of graphene TFT using graphene/Ni compound semiconductor hetero-junction |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / graphene |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ接合 / hetero junction |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市川 和典 / Kazunori Ichikawa / イチカワ カズノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 松江工業高等専門学校 (略称： 松江高専) National Institute of Technology, Matsue College (略称： NITM) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-04-23 16:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2021-7, OME2021-7 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.8(SDM), no.9(OME) |
| ページ範囲 | pp.26-29 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-04-16 (SDM, OME) |
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