| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2021-06-22 16:50
アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ ○松井千尋・竹内 健(東大) SDM2021-27 |
| 抄録 |
(和) |
ストレージアプリケーションに起因してTaOx ReRAMセルにはさまざまなエラーが発生するため,エラーを訂正するためにストレージ性能が低下する.ReRAMメモリデバイスで発生するエラーをシステム・回路・デバイスの各レベルで許容し,高速化する手法を提案する.その結果,ストレージ性能7倍,消費エネルギー90%削減,メモリセル面積8.5%削減した. |
| (英) |
Storage application induces various types or errors in TaOx ReRAM cells and the storage performance degrades. To improve storage performance, this paper proposes a method to tolerate errors in ReRAM devices at each system, circuit, and device level. As a result, storage performance improves by 7.0 times, energy consumption and memory cell area is reduced by 90% and 8.5%, respectively. |
| キーワード |
(和) |
ReRAM / 信頼性 / ストレージ / / / / / |
| (英) |
ReRAM / Reliability / Storage / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 71, SDM2021-27, pp. 21-22, 2021年6月. |
| 資料番号 |
SDM2021-27 |
| 発行日 |
2021-06-15 (SDM) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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SDM2021-27 |