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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-06-22 17:30 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御 ○大田晃生・松下圭吾・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大）  SDM2021-29 |
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| 抄録 | （和） | 化学溶液洗浄したGe(111)上にAlを真空蒸着したAl/Ge(111)において、真空熱処理の温度や時間がAl表面に形成する極薄Ge 層の化学構造や結合状態へ与える影響を、X 線光電子分光法 (XPS) より評価した。また、金属薄層上で極薄Ge結晶やGe原子の二次元結晶の成長に関する形成指針を得ることを目的として、Al/Ge(111)とAg/Ge(111)構造の熱処理による極薄Ge層の形成を比較した。AlおよびAg薄層のどちらにおいても、Ge析出量の制御には熱処理温度が重要となることが分かった。さらに、昇温脱離ガス(TDS)分析より、熱処理時における試料からの熱脱離を調べた。固溶度の低い温度域の熱処理でも極薄Ge層の形成が認められることから、温度が下がる際のGe原子の固溶度の低下よる偏析だけでなく、粒界拡散などの寄与も示唆された。 |
| （英） | Ge surface segregation on Al/Ge(111) and Ag/Ge(111) structures by thermal anneal was investigated. Ultrathin Ge formation and its chemical bonding features have been evaluated from the x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). And, change in the average Ge thickness with the anneal temperatures and times was crudely estimated. We found that anneal temperature rather than the time was found to be important for the control of a sub-nanometer scale Ge layer formation. Thermal desorption spectroscopy (TDS) measurements of Al/Ge(111) and Ag/Ge(111) indicated that GeO desorption from the samples was hardly detected in the temperature range below 600 ºC. From these results, it was speculated that the Ge atoms were distributed in the metal layer from the substrate by anneal, and then Ge atoms were segregated at the surface by a decrease in the Ge solubility in the metal with cooling the samples down to room temperature. And also, Ge diffusion through the grain boundaries was suggested since the ultrathin Ge formation even in a temperature range with quite low Ge solubility in Al. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / 拡散/偏析 / XPS / / / / / |
| （英） | Germanium / Diffusion/Segregation / XPS / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 71, SDM2021-29, pp. 27-31, 2021年6月. | |
| 資料番号 | SDM2021-29 | |
| 発行日 | 2021-06-15 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2021-29 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2021-06-22 - 2021-06-22 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2021-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation and Thickness Control of Ultrathin Ge Layer on Al and Ag/(111) Structures by Thermal Anneal |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | 拡散/偏析 / Diffusion/Segregation |
| キーワード(3)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松下 圭吾 / Keigo Matsushita / マツシタ ケイゴ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮﨑 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-06-22 17:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2021-29 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.71 |
| ページ範囲 | pp.27-31 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2021-06-15 (SDM) |
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