講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-06-22 17:10
組合せ最適化問題に向けたReRAMを用いたコンピュテーション・イン・メモリにおける量子化ビット数とエラー率の解への影響 ○三澤奈央子・田岡健太・越能俊介・松井千尋・竹内 健(東大) SDM2021-28 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-28 |
抄録 |
(和) |
組合せ最適化問題の1つであるナップサック問題を,抵抗変化型メモリReRAM(Resistive Random Access Memory)のコンピュテーション・イン・メモリ(CiM)にて,シミュレーティッド・アニーリングを用いて効率的に解く.初めに,ReRAMへの緩和効果としてAdaptive Endurance Relaxation(AER)を提案する.この提案により,ReRAMのBit-error rate,BERを100%削減,Current Windowを21.2%広げることができる.次に,シミュレーティッド・アニーリングのアルゴリズムをReRAM CiMにマッピングする方法を提案し,メモリの量子ビット数とBERの解への影響を評価する.2つの提案を組み合わせることで,結果として,ReRAM CiMの許容できるビット精度が2ビット,BERが2倍向上する. |
(英) |
The knapsack problem, one of combinatorial optimization problems, is solved effectively by simulated annealing in ReRAM (Resistive Random Access Memory) -based Computation-in-Memory. First, Adaptive Endurance Relaxation (AER) technique for ReRAM is proposed. As a result, Bit-error rate (BER) decreases by 100% and ‘Current Window’ increases by 21.2%. Second, simulated annealing algorithm mapping to ReRAM CiM is proposed and then the influence of quantized bit precision and BER on the optimal answer of the knapsack problem is investigated. Consequently, the combination of proposals 1 and 2 improves the acceptable bit precision by 2-bit and the acceptable BER 2 times. |
キーワード |
(和) |
ReRAM / コンピュテーション・イン・メモリ / 緩和効果 / イジングモデル / シミュレーティッド・アニーリング / / / |
(英) |
ReRAM / Computation-in-Memory / Relaxation / Ising model / Simulated annealing / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 71, SDM2021-28, pp. 23-26, 2021年6月. |
資料番号 |
SDM2021-28 |
発行日 |
2021-06-15 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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