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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-06-22 14:40 ［依頼講演］二次元材料をチャネルとするFET ○若林 整（東工大）  SDM2021-24 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | MISFETs with 2D channel have been reviewed for advanced CMOS devices, in which TMDC PVD and following sulfurization processes have been investigated to suppress the carrier density in the TMDC film and to improve the character- istics in following n/pMISFETs. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | MISFET / CMOS / 2D / TMDC / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 71, SDM2021-24, pp. 13-15, 2021年6月. | |
| 資料番号 | SDM2021-24 | |
| 発行日 | 2021-06-15 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2021-24 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2021-06-22 - 2021-06-22 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2021-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 二次元材料をチャネルとするFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | FET characteristics with 2D channel |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / MISFET |
| キーワード(2)（和/英） | / CMOS |
| キーワード(3)（和/英） | / 2D |
| キーワード(4)（和/英） | / TMDC |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若林 整 / Hitoshi Wakabayashi / ワカバヤシ ヒトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-06-22 14:40:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2021-24 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.71 |
| ページ範囲 | pp.13-15 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2021-06-15 (SDM) |
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