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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-10-08 15:35 Pt/Co/CoO/アモルファスTiOx構造における電圧誘起保磁力変化 ○野崎友大・田丸慎吾・甲野藤 真・野﨑隆行・久保田 均・福島章雄・湯浅新治（産総研）  MRIS2021-9 |
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| 抄録 | （和） | 近年、磁気抵抗メモリ(MRAM)にも適用可能な低消費電力な書き込みの手段として、電圧による磁気異方性制御(VCMA)効果が注目を集めている。本研究では、fcc-Co(111)系の磁性体材料に注目し、アモルファスTiOxを誘電体層として用いたPt/Co/アモルファスTiOx構造の電圧誘起保磁力変化を調べた。Co膜厚が比較的厚い領域で、従来の報告より1桁程度大きな電圧誘起保磁力変化が得られた。また、Pt/Co界面にIrやRuの重元素を挿入することで、電圧誘起保磁力変化を維持しながら保磁力を低減させることができることを示した。 |
| （英） | Voltage controlled magnetic anisotropy (VCMA) effect has been attracted attention as a low power consumption spin manipulation technique, applicable to magnetoresistive random access memory (MRAM). For the research of the VCMA effect, we focused on fcc-Co (111)-based system as an alternative to bcc-Fe (001)-based systems. In this study, we investigated the voltage-induced coercivity change of the Pt/Co/amorphous TiOx structure, where we use an amorphous TiOx as a dielectric layer. About an order of magnitude larger voltage-induced coercivity change than the past reports was obtained when Co film thickness is relatively thick. We also demonstrated that the coercivity can be reduced while maintaining the voltage-induced coercivity change.by inserting Ir or Ru into Pt/Co interface. | |
| キーワード | （和） | 垂直磁気異方性(PMA) / 電圧磁気異方性制御(VCMA)効果 / fcc-Co(111) / 分子線エピタキシー(MBE)法 / スパッタリング法 / / / |
| （英） | perpendicular magnetic anisotropy (PMA) / voltage controlled magnetic anisotropy (VCMA) / fcc-Co(111) / molecular beam epitaxy (MBE) / sputtering / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 193, MRIS2021-9, pp. 13-16, 2021年10月. | |
| 資料番号 | MRIS2021-9 | |
| 発行日 | 2021-10-01 (MRIS) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MRIS2021-9 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2021-10-08 - 2021-10-08 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | ヘッド，スピントロニクス，固体メモリ, 媒体, 一般 |
| テーマ（英） | Recording Head, Spintronics, Solid State Memory, Media, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2021-10-MRIS-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Pt/Co/CoO/アモルファスTiOx構造における電圧誘起保磁力変化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Voltage-induced coercivity change in Pt/Co/CoO/amorphous TiOx structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 垂直磁気異方性(PMA) / perpendicular magnetic anisotropy (PMA) |
| キーワード(2)（和/英） | 電圧磁気異方性制御(VCMA)効果 / voltage controlled magnetic anisotropy (VCMA) |
| キーワード(3)（和/英） | fcc-Co(111) / fcc-Co(111) |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシー(MBE)法 / molecular beam epitaxy (MBE) |
| キーワード(5)（和/英） | スパッタリング法 / sputtering |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野崎 友大 / Tomohiro Nozaki / ノザキ トモヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田丸 慎吾 / Shingo Tamaru / タマル シンゴ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 甲野藤 真 / Makoto Konoto / コウノトウ マコト |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野﨑 隆行 / Takayuki Nozaki / ノザキ タカユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保田 均 / Hitoshi Kubota / クボタ ヒトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福島 章雄 / Akio Fukushima / フクシマ アキオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 湯浅 新治 / Shinji Yuasa / ユアサ シンジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-10-08 15:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MRIS2021-9 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.193 |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-10-01 (MRIS) |
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