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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-10-21 13:25 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大）  SDM2021-47 |
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| 抄録 | （和） | 強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。今回、低誘電率のSiO_2界面層形成の抑制を目的として、HfO_2/Si界面にHf界面層および化学酸化膜を導入した強誘電性ノンドープHfO_2薄膜形成に関する検討を行った。膜厚10 nmのHfO_2に対し、1 nmのHf界面層を用いた場合、アニール温度を600^oCから500^oCに減少させることにより、SiO_2換算膜厚(EOT)は6.0 nmから4.8 nmに減少した。一方、膜厚5 nmのHfO_2に対し、0.5 nmの化学酸化膜を導入した場合、EOTが3.9 nmから3.6 nmに減少した。よって、HfO_2/Si基板界面を制御することがSiO_2界面層形成の抑制に有効であることが分かった。 |
| （英） | Ferroelectric HfO_2 thin films are able to be formed on Si substrate, which is difficult for conventional materials due to its Si-incompatibility, and are expected to be applied for ferroelectric gate field-effect transistors (MFSFETs). In this study, we investigated the ferroelectric nondoped HfO_2 formation with Hf inter layer and chemical oxide inter layer in order to suppress SiO_2 interfacial layer formation. In case with 1 nm-thick Hf inter layer, equivalent oxide thickness (EOT) was decreased from 6.0 to 4.8 nm for 10 nm-thick HfO_2 with decreasing annealing temperature. In case with 0.5 nm-thick chemical oxide inter layer, EOT was decreased from 3.9 to 3.6 nm in MFS diodes for 5 nm-thick HfO_2. Therefore, it was found that controlling the HfO_2/Si substrate interface was effective for suppressing the SiO_2 interfacial layer formation. | |
| キーワード | （和） | 強誘電性HfO2 / RFマグネトロンスパッタ法 / Hf界面層 / 化学酸化膜 / / / / |
| （英） | Ferroelectric HfO2 / RF magnetron sputtering / Hf inter layer / chemical oxide inter layer / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 212, SDM2021-47, pp. 12-15, 2021年10月. | |
| 資料番号 | SDM2021-47 | |
| 発行日 | 2021-10-14 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2021-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2021-10-21 - 2021-10-21 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2021-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on the effect of inter layers on ferroelectric nondoped HfO2 formation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電性HfO2 / Ferroelectric HfO2 |
| キーワード(2)（和/英） | RFマグネトロンスパッタ法 / RF magnetron sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | Hf界面層 / Hf inter layer |
| キーワード(4)（和/英） | 化学酸化膜 / chemical oxide inter layer |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田沼 将一 / Masakazu Tanuma / タヌマ マサカズ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Joong-Won Shin / Joong-Won Shin / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-10-21 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2021-47 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.212 |
| ページ範囲 | pp.12-15 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-10-14 (SDM) |
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