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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-10-21 13:00 A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for non-volatile memory applications ○Eun-Ki Hong・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.）  SDM2021-46 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | In this study, we investigated Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation. The floating-gate memory with N-doped LaB6/LaBxNy stacked layer was examined for top-gate type Si device and back-gate type organic semiconductor device. The sputtering gas pressure was changed from 0.19 Pa to 0.47 Pa by changing the Ar/N2 gas flow ratio from 4/2.8 sccm to 10/7 sccm for LaBxNy deposition. In the case of MIMIS diode for top-gate type Si device at sputtering gas pressure of 0.19 Pa, larger memory window (MW) of 0.56 V was obtained with higher relative dielectric constant (εr) of 19.5 due to the improvement of film quality compared to sputtering gas pressure of 0.47 Pa which indicated the MW of 0.4 V and εr of 17.2, respectively. The pentacene-based floating-gate back-gate type organic field-effect transistor (OFET) was fabricated with α-rubrene passivation layer. In the case of sputtering gas pressure of 0.19 Pa, larger MW of 0.68 V was obtained with saturation mobility of 2.2×10-2 cm2/(Vs) and subthreshold swing of 199 mV/dec. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | N-doped LaB6 / LaBxNy / Floating-gate memory / RF sputtering / Organic semiconductor / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 212, SDM2021-46, pp. 8-11, 2021年10月. | |
| 資料番号 | SDM2021-46 | |
| 発行日 | 2021-10-14 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2021-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2021-10-21 - 2021-10-21 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2021-10-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for non-volatile memory applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / N-doped LaB6 |
| キーワード(2)（和/英） | / LaBxNy |
| キーワード(3)（和/英） | / Floating-gate memory |
| キーワード(4)（和/英） | / RF sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | / Organic semiconductor |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 洪 銀基 / Eun-Ki Hong / ホン ウンギ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-10-21 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2021-46 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.212 |
| ページ範囲 | pp.8-11 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-10-14 (SDM) |
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