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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-11-11 13:00 ［招待講演］極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待 ○高木信一・トープラサートポン カシディット・羅 璇・名幸瑛心・王 澤宇・李 宗恩・田原建人・竹中 充・中根了昌（東大）  SDM2021-55 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2021-55 |
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| 抄録 | （和） | 2011年に、HfO2系絶縁膜において強誘電性が発見されて以来、HfO2系薄膜をゲート絶縁膜に用いたFeFETは、極めて高い関心を集め、極低消費電力のメモリ・ロジック・AIコンピューティングなど様々な応用を目指して、世界的に極めて活発な研究が進められている。本講演では、これらの各種応用に向けたHfO2系FeFETの研究動向と課題を整理すると共に、我々が最近取り組んでいるFeFETメモリの特性を定量的に理解する上で重要な素子動作機構、反強誘電体FeFETロジックを目指したZrO2薄膜の物性と評価、HfO2系強誘電体膜自身のもつ分極応答とチャネル中のキャリアとの相互作用を利用したFeFETのリザバー計算に関する研究成果を紹介する。 |
| （英） | Since the discovery of ferroelectricity in HfO2-based dielectric films in 2011, FeFETs using HfO2-based thin films as gate dielectrics have attracted a strong interest. Thus, extremely active researches have been conducted for various applications such as ultra-low power memory, logic and AI computing. In this paper, we summarize our research activities of HfO2-based FeFETs for these various applications as well as discuss the device operation mechanism, which is important for quantitatively understanding the characteristics of FeFET memory. In addition, the physical properties and evaluation of ZrO2 thin films for anti-ferroelectric FeFET logic are addressed. We also introduce the results of the proposed reservoir computing using FeFETs with the interaction between the polarization response of the film itself and the carriers in the channel. | |
| キーワード | （和） | 強誘電体FET / 分極-電圧特性 / HfxZr1-xO2 / リザバー計算 / / / / |
| （英） | Ferroelectric FET / Polarization-voltage characteristics / HfxZr1-xO2 / Reservoir computing / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 235, SDM2021-55, pp. 13-18, 2021年11月. | |
| 資料番号 | SDM2021-55 | |
| 発行日 | 2021-11-04 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2021-55 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2021-55 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2021-11-11 - 2021-11-12 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2021-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Prospects of HfZrO2-based FeFETs for Ultra-low Power Memory, Logic and AI Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体FET / Ferroelectric FET |
| キーワード(2)（和/英） | 分極-電圧特性 / Polarization-voltage characteristics |
| キーワード(3)（和/英） | HfxZr1-xO2 / HfxZr1-xO2 |
| キーワード(4)（和/英） | リザバー計算 / Reservoir computing |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 信一 / Shinichi Takagi / タカギ シンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： U. Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | トープラサートポン カシディット / Kasidit Toprasertpong / トープラサートポン カシディット |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： U. Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 羅 璇 / Xuan Luo / ロウ シュアン |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： U. Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名幸 瑛心 / Eishin Nako / ナコウ エイシン |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： U. Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 王 澤宇 / Zeyu Wang / ワン ゼーユ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： U. Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 李 宗恩 / Tsung-En Lee / リ ソウオン |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： U. Tokyo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田原 建人 / Kento Tahara / タハラ ケント |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： U. Tokyo) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹中 充 / Mitsuru Takenaka / タケナカ ミツル |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： U. Tokyo) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中根 了昌 / Ryosho Nakane / ナカネ リョウショウ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： U. Tokyo) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-11-11 13:00:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2021-55 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.235 |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2021-11-04 (SDM) |
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