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講演抄録/キーワード
講演名 2021-11-11 15:15
[招待講演]プラズマからのイオン衝撃により形成される欠陥構造の解析技術
江利口浩二京大SDM2021-57
抄録 (和) 電子デバイス製造においてプラズマプロセスは重要な役割を担っている.プラズマエッチングでは,イオン照射と表面反応最適化によりナノスケールの加工精度が実現されている.一方で,プラズマとデバイスとの設計外の相互作用,例えばイオン衝撃による材料中での欠陥形成が大きな問題となっている.これらはプラズマ誘起ダメージと呼ばれている.プラズマ誘起ダメージを制御・設計するには,欠陥形成機構を正しく理解すること,そのためには最適な解析手法の構築が必須である.これまで様々な解析手法が提案され,プラズマ誘起ダメージならびにデバイス特性への影響の理解の深化が飛躍的に進んでいる.本論文では,プラズマ誘起ダメージの基礎とその解析手法について,最新の課題を交えて議論する. 
(英) Plasma processing plays an important role in manufacturing leading-edge electronic devices. Plasma etching achieves fine patterns with anisotropic features at the atomic scale. Recently, it has been pointed out that plasma etching sometimes degrades the performance and reliability of MOSFETs by way of defect generation in materials such as crystalline Si substrate and dielectric films. This negative aspect is defined as plasma-induced damage (PID). This article firstly provides a brief overview of PID mechanisms by focusing on the characterization techniques for the assessment of ion bombardment damage. Then, one of the emerging topics with respect to PID, i.e., the defect generation by stochastic straggling is discussed.
キーワード (和) プラズマ誘起ダメージ / イオン衝撃 / 欠陥 / 電荷捕獲 / 電気特性解析 / ラテラル方向 / /  
(英) Plasma-induced damage / ion bombardment / defect / carrier trap / electrical characterization / lateral / /  
文献情報 信学技報, vol. 121, no. 235, SDM2021-57, pp. 23-28, 2021年11月.
資料番号 SDM2021-57 
発行日 2021-11-04 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2021-57

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2021-11-11 - 2021-11-12 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2021-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) プラズマからのイオン衝撃により形成される欠陥構造の解析技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization techniques of plasma process-induced defect creation in electronic devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) プラズマ誘起ダメージ / Plasma-induced damage  
キーワード(2)(和/英) イオン衝撃 / ion bombardment  
キーワード(3)(和/英) 欠陥 / defect  
キーワード(4)(和/英) 電荷捕獲 / carrier trap  
キーワード(5)(和/英) 電気特性解析 / electrical characterization  
キーワード(6)(和/英) ラテラル方向 / lateral  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 江利口 浩二 / Koji Eriguchi / エリグチ コウジ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2021-11-11 15:15:00 
発表時間 60分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2021-57 
巻番号(vol) vol.121 
号番号(no) no.235 
ページ範囲 pp.23-28 
ページ数
発行日 2021-11-04 (SDM) 


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