講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-11-11 14:00
[招待講演]三次元積層構造に向けた強誘電体HfO2 FeFETの消去動作の効率化に関する研究 ○小林正治・Mo, Fei・Xiang, Jiawen・Mei, Xiaoran・沢辺慶起・更屋拓哉・平本俊郎(東大)・Su, Chun-Jung(TSRI)・Hu, Vita Pi-Ho(NTU) SDM2021-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-56 |
抄録 |
(和) |
ビッグデータの利活用のためにはIoTエッジデバイスにおけるストレージメモリの大容量化が欠かせない.特に消費電力性能が重要となるIoTエッジデバイスにおいては低消費電力なストレージメモリが求められる.私たちは電界駆動のため本質的に低消費電力である強誘電体トランジスタ(FeFET)メモリの三次元積層化による大容量化を目指しており,そこで重要となる消去動作の効率化に向けた研究を行っている.本講演ではTCADシミュレーションによる消去動作の調査を行い,FeFETの長期保持特性のコンパクトモデルを構築したので報告する. |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
強誘電体 / HfO2 / メモリ / 三次元積層 / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 235, SDM2021-56, pp. 19-22, 2021年11月. |
資料番号 |
SDM2021-56 |
発行日 |
2021-11-04 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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