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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-11-11 16:15 標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案 ○竹内 潔・水谷朋子・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大）  SDM2021-58 |
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| 抄録 | （和） | 基板でのフェルミレベルと真性レベルの差の２倍だけバンドが曲がった状態をMOSFETのしきい状態とするしきい値の定義方法が広く受け入れられている。このような解析的しきい値定義はデバイスモデリングにおいて重要であるが、この従来定義には反転時電荷面密度の基板濃度依存性が不適切である、今日多用される完全空乏型SOIやFinFETデバイスで定義不能になる等の不都合がある。この問題を解決するため反転電荷面密度でしきい値を定義する新たな方法を提案したので紹介する。 |
| （英） | Threshold voltage defined by a band bending of twice the substrate intrinsic-to-Fermi level difference has been widely accepted. Such analytically defined threshold voltage is important for device modeling purposes. However, there are shortcomings with this conventional definition. Surface inversion carrier density per area at threshold by this definition inadequately depends on the substrate doping. The definition is not applicable to fully depleted thin body devices, such as FinFETs and FDSOI FETs. In this presentation, a simple definition based on a threshold inversion charge density per area will be explained, which the authors recently proposed to solve these problems. | |
| キーワード | （和） | しきい値 / MOSFET / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 235, SDM2021-58, pp. 29-32, 2021年11月. | |
| 資料番号 | SDM2021-58 | |
| 発行日 | 2021-11-04 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2021-58 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2021-11-11 - 2021-11-12 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2021-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A threshold voltage definition based on a standardized charge vs. voltage relationship |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | しきい値 / |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi / タケウチ キヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-11-11 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2021-58 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.235 |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-11-04 (SDM) |
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