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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-11-12 14:30 ［招待講演］高感度ひずみセンサー用のダンベル型グラフェンナノリボンのショットキーエネルギー障壁のひずみ誘起変化に関する理論的研究 ○張 秦強・鈴木 研・三浦英生（東北大）  SDM2021-64 |
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| 抄録 | （和） | 提案されたダンベル型のグラフェンナノリボン(DS-GNR)構造における電子特性のひずみ誘起変化 は，第一原理計算を使用して分析された.DS-GNR 構造は，新しく形成された勾配ショットキー障壁により，一軸 ひずみの適用下で複雑な電流-電圧特性を示した.勾配ショットキー障壁のバンド図は，従来の階段状の金属-半導 体接合とは異なる.勾配ショットキーバリアの高さは，適切な範囲の引張ひずみを適用することで最小限に抑える ことができる.ショットキー障壁が最小化された DS-GNR は，ひずみ下で安定した I-V 特性を示した.DS-GNR 構 造の電子特性のひずみによる変化は，安定した電子性能を備えた高感度ひずみセンサーを開発する大きな可能性を 示している. |
| （英） | The strain-induced change of electronic properties in the proposed dumbbell-shape graphene nanoribbon (DS- GNR) structure was analyzed by using first-principles calculations. The DS-GNR structure exhibited a complicated current- voltage (I-V) characteristics under the application of uniaxial strain due to the newly formed gradient Schottky barrier. The band diagram of the gradient Schottky barrier is different from the conventional step-like metal-semiconductor junction. The height of the gradient Schottky barrier can be minimized by applying an appropriate range of tensile strain. The DS-GNR with minimized Schottky barrier showed a stable I-V characteristics under strain. The strain-induced change of the electronic properties of the DS-GNR structure shows a great potential for developing a highly sensitive strain sensor with stable electronic performance. | |
| キーワード | （和） | ショットキー障壁 / ダンベル型の構造 / 金属-半導体インターフェース / 電子特性 / / / / |
| （英） | Schottky barrier / Dumbbell-shape structure / Metal-semiconductor interface / Electronic properties / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 235, SDM2021-64, pp. 60-65, 2021年11月. | |
| 資料番号 | SDM2021-64 | |
| 発行日 | 2021-11-04 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2021-64 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2021-11-11 - 2021-11-12 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2021-11-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 高感度ひずみセンサー用のダンベル型グラフェンナノリボンのショットキーエネルギー障壁のひずみ誘起変化に関する理論的研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Theoretical Study on Strain-Induced Change of Schottky Energy Barrier of Dumbbell-Shape Graphene-Nanoribbons for Highly Sensitive Strain Sensors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキー障壁 / Schottky barrier |
| キーワード(2)（和/英） | ダンベル型の構造 / Dumbbell-shape structure |
| キーワード(3)（和/英） | 金属-半導体インターフェース / Metal-semiconductor interface |
| キーワード(4)（和/英） | 電子特性 / Electronic properties |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 張 秦強 / Qinqiang Zhang / チョウ シンキョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 研 / Ken Suzuki / スズキ ケン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 英生 / Hideo Miura / ミウラ ヒデオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-11-12 14:30:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2021-64 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.235 |
| ページ範囲 | pp.60-65 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2021-11-04 (SDM) |
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