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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-11-12 11:30 ［招待講演］セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング ○福田浩一・服部淳一・浅井栄大（産総研）・矢板潤也・小谷淳二（富士通）  SDM2021-62 |
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| 抄録 | （和） | GaN HEMTの移動度の温度依存モデリングにセルオートマトン法を適用した。分布関数をテーブルで持ち微小時間ステップごとにアップデートする手法により、平均的な移動度を安定して求めることが可能である。二次元電子ガスの微視的な散乱モデルから導かれる移動度の傾向を把握し、HEMT層構造の最適化に必要な知見が得られる。 |
| （英） | A cellular automaton method is applied to temperature-dependent mobility modeling of GaN HEMT. The method utilizes numerical tables of electron distribution function which are updated by minute time-steps. This numerical method enables to obtain averaged mobility stably. The necessary insight for optimizing HEMT layer structures is obtained by understanding the effects of microscopic scattering models of two-dimensional electron gas on the mobility of HEMTs. | |
| キーワード | （和） | GaN / HEMT / 移動度 / 温度依存 / モデリング / 二次元電子ガス / セルオートマトン法 / |
| （英） | GaN / HEMT / mobility / temerature-dependence / modeling / 2DEG / cellular automaton / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 235, SDM2021-62, pp. 47-52, 2021年11月. | |
| 資料番号 | SDM2021-62 | |
| 発行日 | 2021-11-04 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2021-62 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2021-11-11 - 2021-11-12 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2021-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modeling of Temperature Dependent Mobility of GaN HEMTs by Cellular Automaton |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(4)（和/英） | 温度依存 / temerature-dependence |
| キーワード(5)（和/英） | モデリング / modeling |
| キーワード(6)（和/英） | 二次元電子ガス / 2DEG |
| キーワード(7)（和/英） | セルオートマトン法 / cellular automaton |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 浩一 / Koichi Fukuda / フクダ コウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 淳一 / Junichi Hattori / ハットリ ジュンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢板 潤也 / Yaita Junya / ヤイタ ジュンヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小谷 淳二 / Junji Kotani / コタニ ジュンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-11-12 11:30:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2021-62 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.235 |
| ページ範囲 | pp.47-52 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2021-11-04 (SDM) |
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