| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2021-11-18 13:05
スプリングプローブを用いた基板接続構造を有する4電力合成回路 ○西村拓真・石橋秀則・山口裕太郎・長峯巧弥・湯川秀憲・深沢 徹・稲沢良夫(三菱電機) MW2021-66 |
| 抄録 |
(和) |
従来のSSPAには,大電力化のため,複数のMMICを基板上に並列にフリップチップ実装し,電力合成する方式がある.しかしながら,これら構造は低損失化,放熱性に課題がある.
そこで,MMICをフリップチップ実装することを前提とした小形で低損失,高放熱な4電力合成回路を提案する.本構造は,中空SIW(ASIW)を用いた2電力合成回路とガラス基板からなるGysel型電力合成回路,スプリングプローブを用いた基板接続回路で構成される.ASIWとガラス基板の併用により,小形化と低損失化を両立したうえで,スプリングプローブを用いてMMICと金属板を密着させて熱抵抗の低減が可能となる.本構造について設計と試作を行った結果,設計結果と評価結果が概ね一致し,試作品の合成損が0.5~1.0dB程度と考えられることを確認した. |
| (英) |
Conventional SSPA has a method of synthesizing power by mounting multiple MMIC on the board with flip-chip bonding for high power application. However, it is difficult to reduce loss and dissipate heat properly.
We proposed a compact, low-loss, high heat dissipative 4-way power combiner applied MMIC with flip-chip bonding. This structure consists of 2-way Power combiner using Air-filled SIW(ASIW), Gysel Power combiner formed on glass substrate, board-to-board transitions using spiring probes. In this way, we can realize Miniaturization and reducing loss by applying to both ASIW and glass substrate. In addition, MMIC and the metal plate are closed contact each other to reduce thermal resistance by using spring probes. We designed and fabricated the proposed structure. As a result, calculated and measured results are consisted approximately. So, combiner loss of the prototype is considered 0.5~1.0dB. |
| キーワード |
(和) |
SSPA / モジュール / 電力合成回路 / スプリングプローブ / 中空SIW / ガラス基板 / / |
| (英) |
SSPA / Modules / Power Combiner / Spring contact Probes / Air-filled SIW / Glass Substrate / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 254, MW2021-66, pp. 1-6, 2021年11月. |
| 資料番号 |
MW2021-66 |
| 発行日 |
2021-11-11 (MW) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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