講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-11-18 13:55
Wバンド用SIW(Substrate Integrated Waveguide)型オンチップキャビティ共振器の小型化に関する検討 ○福田智規・陳 柏川・タパ サムンドラ・アデル バラカット・ポカレル ラメシュ(九大) MW2021-68 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2021-68 |
抄録 |
(和) |
本研究では,Wバンド用SIW(Substrate Integrated Waveguide)型オンチップキャビティ共振器の小型化に関する検討した。シリコン基板内に折り畳まれたQuarter-Mode(QM)SIW型キャビティ共振器を提案し、標準のキャビティ共振器と比較検討した。提案の構造を0.18µm CMOS技術で実装し、評価を行った。測定の結果,共振周波数は96.9GHz,リターンロスは-30.14dB、Q値は193となり,シミュレーション結果とよく一致した。また,作成した構造のパッドなしの有効面積は0.0506mm2で,標準的なキャビティ共振器と比べて約92%の面積削減に成功した。 |
(英) |
This study investigates the miniaturization of a Substrate Integrated Waveguide (SIW) type on-chip cavity resonator for W-band. A Quarter-Mode (QM) SIW cavity resonator folded in a silicon substrate is proposed and compared with the Full-Mode SIW cavity resonator.
The proposed structure was implemented in 0.18µm CMOS technology and evaluated. The measurement results showed that the resonant frequency is 96.9 GHz, the return loss is -30.14 dB, and the Q-factor is 193, which agreed well with the simulation results. The effective area without pad of the created structure was 0.0506mm2, which is about 92% less area than that of the Full-Mode cavity resonator. |
キーワード |
(和) |
CMOS技術 / 折り込み式リッジ / 高Q値 / SIWキャビティ / クオーターモード / / / |
(英) |
CMOS technology / folded ridge / high Q-factor / SIW cavity / quarter-mode / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 254, MW2021-68, pp. 11-14, 2021年11月. |
資料番号 |
MW2021-68 |
発行日 |
2021-11-11 (MW) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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