| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-12-09 14:45 地球低軌道応用に向けた平面型グラフェン電子源の耐酸素コーティング ○松本直之（横浜国大/産総研）・鷹尾祥典（横浜国大）・長尾昌善・村上勝久（産総研）  ED2021-45 |
|
| 抄録 | （和） | 平面型グラフェン電子源は，推進剤不要，低電圧駆動 (< 20 V)，高電子電流密度 (1‒100 mA/cm2)，高放出効率 (10‒50%) という優れた特徴を有し，地球低軌道を飛行する小型イオンスラスタの中和器等としての応用が期待されている．一方，地球低軌道環境におけるデバイスのグラフェン電極酸化が応用上の懸念点である．今回，デバイスの酸素耐性向上を目指し，酸素耐性と電子透過性に優れた単層の六方晶窒化ホウ素 (h-BN) でデバイスのグラフェン電極上に保護を施した．その結果，デバイスは4分間の酸素プラズマ照射に耐え，さらに電子を放出することができた． |
| （英） | A graphene-oxide-semiconductor (GOS) planar-type electron source was protected with a hexagonal boron nitride (h-BN) film to improve its oxidation resistance. h-BN is a suitable material for GOS device protection because of its high oxidation resistance and high electron transmissivity. The GOS device covered by monolayer h-BN emitted electrons even after the oxygen plasma exposure for four minutes, indicating that the oxygen resistance of the GOS device was successfully improved by monolayer h-BN protection film. | |
| キーワード | （和） | 平面型グラフェン電子源 / グラフェン / 六方晶窒化ホウ素 / 地球低軌道 / / / / |
| （英） | Graphene-Oxide-Semiconductor / Graphene / Hexagonal Boron Nitride / Low Earth Orbit / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 290, ED2021-45, pp. 38-42, 2021年12月. | |
| 資料番号 | ED2021-45 | |
| 発行日 | 2021-12-02 (ED) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2021-45 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2021-12-09 - 2021-12-09 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクスおよびその関連評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2021-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 地球低軌道応用に向けた平面型グラフェン電子源の耐酸素コーティング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Oxidation resistant coating of graphene-oxide-semiconductor electron emission device for low earth orbit applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 平面型グラフェン電子源 / Graphene-Oxide-Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(3)（和/英） | 六方晶窒化ホウ素 / Hexagonal Boron Nitride |
| キーワード(4)（和/英） | 地球低軌道 / Low Earth Orbit |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 直之 / Naoyuki Matsumoto / マツモト ナオユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 横浜国立大学/国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (略称： 横浜国大/産総研) Yokohama National University/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： YNU/AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鷹尾 祥典 / Yoshinori Takao / タカオ ヨシノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： YNU) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 勝久 / Katsuhisa Murakami / |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-12-09 14:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2021-45 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.290 |
| ページ範囲 | pp.38-42 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2021-12-02 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]