講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-12-16 15:40
ソース接地にラジアルスタブを用いたシリーズ-シリーズフィードバックD-band CMOS増幅器 ○町井大輝(東北大)・本良瑞樹(静岡理工科大)・亀田 卓(広島大)・末松憲治(東北大) MW2021-93 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2021-93 |
抄録 |
(和) |
100 GHzを超えた周波数帯ではCMOS FETの利得が低いため,高利得化手法が必要であり正帰還が有効である.従来の正帰還にディファレンシャル構成のクロスカップルが広く使用されている.しかし,ディファレンシャル構成を取ることで消費電力やチップ面積が2倍になるなどの問題がある.本稿では,シングルエンドで実現できるSeries-series feedback (SSF)という手法をD-band CMOS増幅器適用することを検討する.SSFにより利得が向上する原理を定式的に明らかにして,設計条件を示した.次にSSFをD-band CMOS増幅器へ適用するため,FETのソースにラジアルスタブとショートスタブを使用した新たな利得向上構成を提案した.65nm bulk CMOSプロセスで130 GHz帯SSF増幅器を試作し検証すると,実測で従来の増幅器に対し1.6 dB利得が向上した.これにより,提案手法が有効であることを示した |
(英) |
Positive feedback is effective to improve the gain since sufficient gain cannot be achieved with over-100 GHz CMOS amplifiers. In conventional positive feedback, cross-coupling with differential configuration is widely used. However, the differential configuration has some problems such as doubling the power consumption and chip area. In this paper, we studied the application of series-series feedback (SSF) to D-band CMOS amplifiers.
First, the principle of gain boost by SSF is formally clarified and its design conditions are presented. Next, a new gain boost topology inserting a radial stub and a short stub in the source of FET is proposed. It is applicable SSF to D-band CMOS amplifiers. A 130 GHz SSF amplifier was fabricated in a 65 nm bulk CMOS process. The measured gain was 1.6 dB higher than a conventional amplifier. It shows the proposed method is effective for gain boost. |
キーワード |
(和) |
CMOS / 増幅器 / 正帰還 / ラジアルスタブ / ミリ波 / ゲインブースト / D帯 / |
(英) |
CMOS / Amplifier / Positive feedback / Radial stub / Millimeter-wave / gain boost / D-band / |
文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 303, MW2021-93, pp. 49-54, 2021年12月. |
資料番号 |
MW2021-93 |
発行日 |
2021-12-09 (MW) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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MW2021-93 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2021-93 |