講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-12-21 09:00
[招待講演]Beyond 5G/6G応用を見据えたテラヘルツInP-HEMT-IC製造技術 ○堤 卓也・濱田裕史・杉山弘樹・徐 照男・高橋宏行・松崎秀昭(NTT) ED2021-55 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2021-55 |
抄録 |
(和) |
本報告では,Beyond 5G/6G における適用周波数帯候補である300 GHz 帯において適用可能なInP 系高電子移動度トランジスタ(InP-based high mobility electron transistors: InP-HEMTs)およびテラヘルツIC(Tera-Hertz monolithic ICs: THz-ICs)について,製造技術の観点から概要を述べる.さらに開発したInP-THz-IC の300 GHz 帯ミキサ,パワーアンプ(Power Amplifiers: PAs)などの要素部品を紹介し,InP-HEMT-IC 技術がBeyond 5G/6G に
対して有望な技術的候補であることを示す. |
(英) |
In this report, we focuses fabrication processes of InP-based hight-mobility transistors (InP-HEMTs) and Tera-Hertz monolithic ICs (THz-ICs) in order to develop 300-GHz band because it is one of the candidate frequency for “Beyond 5G / 6G” network systems. Furthermore, we also introduce InP-THz-ICs such as 300-GHz mixer and power amplifier and indicate that InP-based devices are an applicable candidate for Beyond 5G/6G. |
キーワード |
(和) |
InP-HEMT / テラヘルツIC / Beyond 5G / 6G / 裏面プロセス / 300 GHz帯 / / |
(英) |
InP-HEMT / Tera-Hertz ICs / Beyond 5G / 6G / Backside process / 300-GHz band / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 309, ED2021-55, pp. 34-39, 2021年12月. |
資料番号 |
ED2021-55 |
発行日 |
2021-12-13 (ED) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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