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講演抄録/キーワード
講演名 2022-02-04 10:40
[招待講演]低温焼結塗布型シリカを用いた印刷エレクトロニクス
三成剛生物質・材料研究機構)・孫 晴晴鄭州大)・李 玲穎物質・材料研究機構)・李 万里江南大)・劉 旭影鄭州大SDM2021-76 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-76
抄録 (和) 金属インクを塗布・印刷することで配線や電子素子を形成するプリンテッドエレクトロニクスは,フレキシブル基板上に低温・低コストで配線を簡便に形成できる.我々は,塗布プロセスによる成膜が可能で,低温(90 °C)で焼結できるプリンテッドエレクトロニクス向けの層間絶縁材料として,低温焼結塗布型シリカ(LCSS)を開発した.本稿では,LCSSに対する金属インクの微細印刷技術と,三次元配線技術,印刷によって薄膜トランジスタ素子を形成した例を紹介する. 
(英) Fabrication of electronics devices by Printed Electronics has attracted considerable interest because of the low-processing temperature and low cost. We have recently developed low-temperature-catalyzed, solution-processed SiO2 (LCSS) as the interlayer insulating material for Printed Electronics, which subsequently enabled printing of high-performance thin-film transistors (TFTs) and three-dimensional circuits connecting various elements. These TFTs with an LCSS insulating layer, produced through printing alone, exhibited the highest field-effect mobilities among fully-printed TFTs ever recorded (70 cm2 V-1 s-1) at an operating voltage of 1 V or less. These results may facilitate the development of various printed devices, such as printed displays and highly sensitive sensors.
キーワード (和) プリンテッドエレクトロニクス / 金属ナノ粒子インク / 低温焼結塗布型シリカ / 薄膜トランジスタ / / / /  
(英) Printed Electronics / Metal nanoparticle ink / Solution-processed SiO2 / Thin-Film Transistors / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 121, no. 366, SDM2021-76, pp. 9-12, 2022年2月.
資料番号 SDM2021-76 
発行日 2022-01-28 (SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2021-76 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-76

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2022-02-04 - 2022-02-04 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 配線・実装技術と関連材料技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2022-02-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 低温焼結塗布型シリカを用いた印刷エレクトロニクス 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Printed Electronics using low-temperature catalyzed solution-processed SiO2 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) プリンテッドエレクトロニクス / Printed Electronics  
キーワード(2)(和/英) 金属ナノ粒子インク / Metal nanoparticle ink  
キーワード(3)(和/英) 低温焼結塗布型シリカ / Solution-processed SiO2  
キーワード(4)(和/英) 薄膜トランジスタ / Thin-Film Transistors  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 三成 剛生 / Takeo Minari / ミナリ タケオ
第1著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 孫 晴晴 / Qingqing Sun / スン チンチン
第2著者 所属(和/英) 鄭州大学 (略称: 鄭州大)
Zhengzhou University (略称: Zhengzhou Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 玲穎 / Lingying Li / リ リンイン
第3著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 万里 / Wanli Li / リ ワンリ
第4著者 所属(和/英) 江南大学 (略称: 江南大)
Jiangnan University (略称: Jiangnan Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 劉 旭影 / Xuying Liu / リュウ シューイン
第5著者 所属(和/英) 鄭州大学 (略称: 鄭州大)
Zhengzhou University (略称: Zhengzhou Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-02-04 10:40:00 
発表時間 40分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2021-76 
巻番号(vol) vol.121 
号番号(no) no.366 
ページ範囲 pp.9-12 
ページ数
発行日 2022-01-28 (SDM) 


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