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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-03-03 11:45 微弱電力レクテナに用いる整流用ダイオードのモデル ○伊藤 匠・米村 翼・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大）  MW2021-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2021-118 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では微弱電力レクテナに用いる整流用ダイオードのモデルについて述べる．微小ループアンテナを用いるレクテナは小形であり，また10kΩ以上の高アンテナインピーダンスが得られる．このようなレクテナはμWクラスの微弱電力動作に適する．このレクテナに市販のSi ショットキー障壁ダイオード(SBD)を適用する場合，従来のSPICEモデルでは十分な計算精度が得られない問題がある．整流用ダイオードの逆バイアス条件での損失のふるまいは必ずしも明らかでない．ここでは，まず市販のSi SBDの2端子対Sパラメータを，高精度での測定が容易な0.1〜3GHzで測定する．評価基板の寄生素子を除去することで，逆バイアス条件のダイオードのアドミタンスを高精度で得ることができる．その結果，逆バイアス条件でSi SBDの並列抵抗が存在し，レクテナの特性劣化要因となることを明らかにする．さらに並列抵抗を組み込んだ整流用ダイオードのモデルを示す． |
| （英） | In this report, a rectifier diode model is discussed for low power rectennas. Rectennas with small loop antennas have technical features of small size and high antenna impedance more than 10 kΩ. Rectennas with such high impedances are suitable for μW-class rectifications. In the case of Si SBD employment for the low power rectenna, insufficient accuracies are obtained with the conventional SPICE diode model. There are few discussions on the rectifier diode loss in the revers bias voltage. In following discussions, the 2 port S parameter of the commercial Si Schottky barrier diode (SBD) is measured at the 0.1-3 GHz. Highly accurate measurement is available in the frequency band. With de-embedding of the parasitic elements of the evaluation board, the diode admittance in the revers bias voltage can be obtained in high accuracy. In the experimental investigation, it is clarified that there is the parallel resistance of the Si SBD in the revers bias voltage. This parallel resistance makes degradation of the rectenna characteristics. Furthermore, the modified diode model with the parallel resistance is indicated for the low power rectenna. | |
| キーワード | （和） | 整流用ダイオードモデル / 微小ループアンテナ / 微弱電力レクテナ / / / / / |
| （英） | Rectifier diode model / Small loop antenna / Low power rectenna / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 400, MW2021-118, pp. 42-47, 2022年3月. | |
| 資料番号 | MW2021-118 | |
| 発行日 | 2022-02-24 (MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2021-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2021-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2022-03-03 - 2022-03-04 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2022-03-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 微弱電力レクテナに用いる整流用ダイオードのモデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Rectifier diode model for low power rectennas |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 整流用ダイオードモデル / Rectifier diode model |
| キーワード(2)（和/英） | 微小ループアンテナ / Small loop antenna |
| キーワード(3)（和/英） | 微弱電力レクテナ / Low power rectenna |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 匠 / Takumi Itoh / イトウ タクミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 米村 翼 / Tsubasa Yonemura / ヨネムラ ツバサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井 尚貴 / Naoki Sakai / サカイ ナオキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊東 健治 / Kenji Itoh / イトウ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-03-03 11:45:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2021-118 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.400 |
| ページ範囲 | pp.42-47 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-02-24 (MW) |
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