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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-03-04 13:00 エピタキシャルMn-Al合金薄膜の構造と磁気特性 ○野呂翔太・大竹 充（横浜国大）・磯上慎二（物質・材料研究機構）・二本正昭・川井哲郎（横浜国大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大）  MRIS2021-16 エレソ技報アーカイブへのリンク：MRIS2021-16 |
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| 抄録 | （和） | Mn-Al合金膜を，Mn組成を50から72 at. %まで，成長温度を室温から500 °Cまで，膜厚を10から100 nmまでの範囲で変化させ，Cr(001)単結晶下地層上に形成した．Mn-Al膜の高いL10規則化を伴う成長メカニズムを調べた．Mn組成が50～65 at. %の範囲で，L10相が形成された．L10単相はMn組成58 at. %のみで得られた．一方，Mn組成が化学量論組成の50 at. %や更にMnリッチ組成の65 at. %では，それぞれA12相やA2相が膜に含まれた．L10相はMnリッチの組成で安定に形成されることが分かった．また，L10相の規則度は膜厚が小さいほど向上した．これは，格子ミスマッチによる歪がL10相の規則化を促進しているためであると考えられる．成長温度を上昇させると，規則度は向上するが，表面平坦性は悪化する．そのため，適度な温度の300 °Cで膜成長させ，高温の500 °Cで熱処理を施す2段階形成が，高規則度なL10相を得て，表面平坦性を保つことに有効である．L10構造を持つMn-Al膜は，結晶磁気異方性を反映した強い垂直磁気異方性を示した． |
| （英） | Mn-Al alloy films are prepared on Cr(001) single-crystalline underlayers by varying the Mn content from 50 to 72 at. %, the growth temperature from room temperature to 500 °C, and the thickness from 10 to 100 nm. The growth mechanism of Mn-Al film with high degree of L10 ordering is investigated. L10 phase is formed in the Mn-Al films with Mn compositions of 50–65 at. %. Single L10 phase is realized only at an Mn-rich composition of 58 at. %, whereas A12 and A2 phases are respectively involved at the stoichiometric composition of 50 at. % and at a more Mn-rich composition of 65 at. %. The formation of L10 phase is stabilized at the slightly Mn-rich composition. As the film thickness decreases, the degree of L10 ordering is enhanced. The result indicates that the strain caused by lattice mismatch promotes L10 ordering. As the growth temperature increases, the order degree is improved but the surface roughness increases. Therefore, it is shown that two-step formation method consisting of growth at a moderate temperature at 300 °C followed by annealing at a high temperature of 500 °C is effective in obtaining L10 phase with high order degree while keeping flat surface. Mn-Al films with L10 structure show strong perpendicular magnetic anisotropies reflecting the magnetocrystalline anisotropy. | |
| キーワード | （和） | Mn-Al合金 / L10規則相 / 薄膜 / エピタキシャル成長 / 垂直磁気異方性 / / / |
| （英） | Mn-Al alloy / L10 ordered phase / thin film / epitaxial growth / perpendicular magnetic anisotropy / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 402, MRIS2021-16, pp. 1-6, 2022年3月. | |
| 資料番号 | MRIS2021-16 | |
| 発行日 | 2022-02-25 (MRIS) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MRIS2021-16 エレソ技報アーカイブへのリンク：MRIS2021-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS IEE-MAG |
| 開催期間 | 2022-03-04 - 2022-03-04 |
| 開催地（和） | 名古屋大学+オンライン開催 |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. and Online (Hybrid) |
| テーマ（和） | 光記録，磁気記録，一般 |
| テーマ（英） | Optical recording. Magnetic recording. and Others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2022-03-MRIS-MAG |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | エピタキシャルMn-Al合金薄膜の構造と磁気特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structure and Magnetic Properties of Mn-Al Epitaxial Films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Mn-Al合金 / Mn-Al alloy |
| キーワード(2)（和/英） | L10規則相 / L10 ordered phase |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(5)（和/英） | 垂直磁気異方性 / perpendicular magnetic anisotropy |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野呂 翔太 / Shota Noro / ノロ ショウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama Nat. Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大竹 充 / Mitsuru Ohtake / オオタケ ミツル |
| 第2著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama Nat. Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 磯上 慎二 / Shinji Isogami / イソガミ シンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二本 正昭 / Masaaki Futamoto / フタモト マサアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama Nat. Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川井 哲郎 / Tetsuroh Kawai / カワイ テツロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama Nat. Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桐野 文良 / Fumiyoshi Kirino / キリノ フミヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京藝術大学 (略称： 東京藝術大) Tokyo University of the Arts (略称： Tokyo Univ. Arts) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲葉 信幸 / Nobuyuki Inaba / イナバ ノブユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-03-04 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MRIS2021-16 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.402 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-02-25 (MRIS) |
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