講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-04-21 09:50
室温原子層堆積法で作製したZnO-TFTの電気特性のアニール温度および雰囲気依存性 ○鬼澤尚也・吉田一樹・齋藤健太郎・鹿又健作・三浦正範・廣瀬文彦(山形大) ED2022-2 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2022-2 |
抄録 |
(和) |
近年では透明である金属酸化物ベースの薄膜トランジスタ(TFT)の技術開発が進められている。我々はナノ薄膜化された酸化物を紫外光やガスセンサーとして利用することを検討しており、そのプラットフォームとして酸化亜鉛によるTFTの試作を行った。本研究では酸化亜鉛を室温原子層堆積法で製膜を試みた。異なる温度で酸化亜鉛ナノチャネル層にアニール処理を加えTFTを作製し、大気中および真空中で測定を行うことで電気特性を評価した。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
原子層堆積法 / 酸化亜鉛 ZnO / 薄膜トランジスタ / / / / / |
(英) |
/ / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 7, ED2022-2, pp. 5-8, 2022年4月. |
資料番号 |
ED2022-2 |
発行日 |
2022-04-14 (ED) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2022-2 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2022-2 |