ご案内
入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ
【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
トップに戻る
前のページに戻る
[Japanese]
/
[English]
講演抄録/キーワード
講演名
2022-08-09 11:50
極低温短チャネルMOSFETにおける閾値上昇のTCAD解析
○
浅井栄大
・
稲葉 工
・
服部淳一
・
福田浩一
・
岡 博史
・
森 貴洋
(
産総研
)
SDM2022-47 ICD2022-15
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
/ / / / / / /
(英)
/ / / / / / /
文献情報
信学技報, vol. 122, no. 148, SDM2022-47, pp. 60-63, 2022年8月.
資料番号
SDM2022-47
発行日
2022-08-01 (SDM, ICD)
ISSN
Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
SDM2022-47 ICD2022-15
研究会情報
研究会
ICD SDM ITE-IST
開催期間
2022-08-08 - 2022-08-10
開催地(和)
オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止
開催地(英)
テーマ(和)
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
テーマ(英)
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications
講演論文情報の詳細
申込み研究会
SDM
会議コード
2022-08-ICD-SDM-IST
本文の言語
日本語
タイトル(和)
極低温短チャネルMOSFETにおける閾値上昇のTCAD解析
サブタイトル(和)
タイトル(英)
TCAD analysis of threshold voltage increase of short-channel MOSFET in cryogenic operation
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
/
キーワード(2)(和/英)
/
キーワード(3)(和/英)
/
キーワード(4)(和/英)
/
キーワード(5)(和/英)
/
キーワード(6)(和/英)
/
キーワード(7)(和/英)
/
キーワード(8)(和/英)
/
第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
浅井 栄大
/
Hidehiro Asai
/
アサイ ヒデヒロ
第1著者 所属(和/英)
産業技術総合研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
稲葉 工
/
Takumi Inaba
/
イナバ タクミ
第2著者 所属(和/英)
産業技術総合研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
服部 淳一
/
Junichi Hattori
/
ハットリ ジュンイチ
第3著者 所属(和/英)
産業技術総合研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
福田 浩一
/
Koichi Fukuda
/
フクダ コウイチ
第4著者 所属(和/英)
産業技術総合研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
岡 博史
/
Hiroshi Oka
/
オカ ヒロシ
第5著者 所属(和/英)
産業技術総合研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
森 貴洋
/
Takahiro Mori
/
モリ タカヒロ
第6著者 所属(和/英)
産業技術総合研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第7著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第8著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第9著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第10著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第11著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第12著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第13著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第14著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第15著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第16著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第17著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第18著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第19著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第20著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第21著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第22著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第23著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第24著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第25著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第26著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第27著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第28著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第29著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第30著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第31著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第32著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第33著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第34著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第35著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第36著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2022-08-09 11:50:00
発表時間
25分
申込先研究会
SDM
資料番号
SDM2022-47, ICD2022-15
巻番号(vol)
vol.122
号番号(no)
no.148(SDM), no.149(ICD)
ページ範囲
pp.60-63
ページ数
4
発行日
2022-08-01 (SDM, ICD)
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]
[電子情報通信学会ホームページ]
IEICE / 電子情報通信学会