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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-08-09 11:05 ［招待講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研）  SDM2022-46 ICD2022-14 |
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| 抄録 | （和） | 大規模な量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている。極低温下ではMOSFETの駆動電流を決定づける反転層移動度がクーロン散乱と表面ラフネス散乱に支配されるため、これらのキャリア散乱機構の極低温下における振る舞いを理解することが極めて重要となる。特にクーロン散乱移動度は温度依存性が複雑であり、極低温下で生じるクーロン散乱の物理的起源については十分に議論されていない。本研究では異なる基板面方位上に作製したMOSFETを用いることで、クーロン散乱源である界面電荷が極低温下で電子移動度に与える影響を系統的に評価した。 |
| （英） | Cryogenic-CMOS technology has attracted significant attention for control/read-out qubits for realizing a large-scale quantum computer. At the cryogenic temperature, inversion layer carrier mobility, which determines the drive current of the MOSFET, is limited by the Coulomb and surface roughness scattering. Thus, physical understanding of these scattering factors at the cryogenic temperature becomes critically important. In particular, the temperature dependence of Coulomb scattering is more complicated than other scattering factors, and the physical origin of Coulomb scattering at the cryogenic temperature has not been fully discussed. In this study, we investigated the effect of interface charge as a Coulomb scatterer on cryogenic electron mobility by utilizing Si MOSFETs fabricated on different surface orientations. | |
| キーワード | （和） | 量子コンピュータ / 極低温動作MOSFET / 電子移動度 / 面方位 / クーロン散乱 / / / |
| （英） | Quantum computer / Cryogenic MOSFET, / Electron mobility / Surface orientation / Coulomb scattering / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 148, SDM2022-46, pp. 54-59, 2022年8月. | |
| 資料番号 | SDM2022-46 | |
| 発行日 | 2022-08-01 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2022-46 ICD2022-14 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM ITE-IST |
| 開催期間 | 2022-08-08 - 2022-08-10 |
| 開催地（和） | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2022-08-ICD-SDM-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Conduction Band Edge States on Coulomb-Limiting Electron Mobility in Cryogenic MOSFET Operation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子コンピュータ / Quantum computer |
| キーワード(2)（和/英） | 極低温動作MOSFET / Cryogenic MOSFET, |
| キーワード(3)（和/英） | 電子移動度 / Electron mobility |
| キーワード(4)（和/英） | 面方位 / Surface orientation |
| キーワード(5)（和/英） | クーロン散乱 / Coulomb scattering |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡 博史 / Hiroshi Oka / オカ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲葉 工 / Takumi Inaba / イナバ タクミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯塚 将太 / Shota Iizuka / イイヅカ ショウタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-08-09 11:05:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2022-46, ICD2022-14 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.148(SDM), no.149(ICD) |
| ページ範囲 | pp.54-59 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-08-01 (SDM, ICD) |
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